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論文

Effect of annealing on proton irradiated AlGaN/GaN based micro-Hall sensors

Abderrahmane, A.*; 高橋大樹*; 田代起也*; Ko, P. J.*; 岡田浩*; 佐藤真一郎; 大島武; Sandhu, A.*

AIP Conference Proceedings 1585, p.123 - 127, 2014/02

https://doi.org/10.1063/1.4866629

被引用回数：1 パーセンタイル：51.08(Physics, Applied)

380keV陽子線を1 $times10^{14}$ , 1 $times10^{15}$ , 1 $times10^{16}$ cm $^{-2}$ 照射したAlGaN/GaNマイクロホールセンサーの673Kでの熱処理の影響を調べた。カソードルミネッセンス測定を室温で行い、熱処理前後での変化を調べたところ、GaN層からのバンド間発光の回復が起こっていることが分かった。また、磁気特性や増加した直列抵抗の回復が観察されたが、高照射量である1 $times10^{16}$ cm $^{-2}$ の試料においては熱処理後もなお高抵抗であり、初期値の72%までの回復であることが判明した。

論文

Partial recovery of the magnetoelectrical properties of AlGaN/GaN-based micro-Hall sensors irradiated with protons

Abderrahmane, A.*; 田代起也*; 高橋大樹*; Ko, P. J.*; 岡田浩*; 佐藤真一郎; 大島武; Sandhu, A.*

Applied Physics Letters, 104(2), p.023508_1 - 023508_4, 2014/01

https://doi.org/10.1063/1.4861902

被引用回数：6 パーセンタイル：26.85(Physics, Applied)

380keV陽子線を高線量(1 $times10^{16}$ cm $^{-2}$ )照射したAlGaN/GaNマイクロホールセンサーの磁電特性の熱処理による回復を調べた。熱処理温度の上昇と共に電子移動度とシート抵抗、磁気感度の回復が観察された。しかし、400 $^{circ}$ Cまでの熱処理では、シート抵抗の回復は72%に留まった。電流・電圧特性とラマン分光測定により、照射欠陥の減少によるトラップ密度の減少と結晶性の改善が起こっていることが明らかとなり、これによってデバイス特性の回復が生じていると結論できた。