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伊藤 孝; 髭本 亘; 大石 一城*; 佐藤 一彦*; 青木 勇二*; 戸田 静香*; 菊地 大輔*; 佐藤 英行*; Baines, C.*
Physical Review B, 82(1), p.014420_1 - 014420_8, 2010/07
被引用回数:9 パーセンタイル:40.66(Materials Science, Multidisciplinary)充填スクッテルダイト化合物CeOsSbにおける反強磁性基底状態と1T以上の高磁場中に存在が示唆されている秩序相に対し、ミュオンスピン回転・緩和の測定を行った結果を報告する。零磁場下の測定により、1.6K以下において弱い反強磁性秩序に起因する自発局所磁場を検出した。局所磁場の大きさより磁気モーメントの大きさの見積りを行ったところ、0.1Kにおいて0.110.17/Ceという値が得られた。反強磁性秩序を示す部分の体積分率は降温とともに増加していくことから、この相が試料の質に対し敏感であることが示唆される。一方、[001]方向に2Tの磁場を印加した条件下では、1.5K付近にミュオンナイトシフトと線幅の異常が観測された。これは高磁場に新規秩序相が存在するとするシナリオに対しコンシステントな結果である。
伊藤 孝; 髭本 亘; 大石 一城*; 佐藤 一彦*; 青木 勇二*; 戸田 静香*; 菊地 大輔*; 佐藤 英行*
no journal, ,
近藤半導体CeOsSbは0.9Kにおいて相転移を起こすことが知られている。われわれはこの秩序相の磁性を微視的な観点から明らかにするためにSR法による研究を行った。低磁場(1T)では自発的な内部磁場の発生が観測され、これにより磁気秩序が起きていることが明らかとなった。一方、高磁場(1T)では、磁場・温度相図の振る舞いから低磁場とは異なる電子状態にあることが予想されている。われわれは磁場中=2Tで測定を行い、点移転においてナイトシフト異常を観測した。これにより、高磁場における相境界が本質的なものであることが明らかとなった。