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論文

Direct insertion of oxygen atoms into the backbonds of subsurface Si atoms using translational energies of oxygen atom beams

田川雅人*; 横田久美子*; 裙本晋之助*; 十河千恵*; 吉越章隆; 寺岡有殿

Applied Physics Letters, 91(3), p.033504_1 - 033504_3, 2007/07

https://doi.org/10.1063/1.2759262

被引用回数：5 パーセンタイル：22.24(Physics, Applied)

Si(001)表面のSi原子の直接酸化反応をエリプソメトリ及び放射光光電子分光法で研究した。その場エリプソメトリ測定から、2.7-5.0eVの運動エネルギーを有する酸素原子ビームでは酸化膜厚が0.6-0.7nmまで直線則に従うが、1.8eVの運動エネルギーでは0.3nmで直線則から外れることが明らかになった。これらの結果は、2.7-5.0eVの運動エネルギーを有する酸素原子ビームを用いるとSiのバックボンドが直接酸化されることを示唆している。