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石松 直樹*; 笹田 良平*; 圓山 裕*; 市川 貴之*; 宮岡 裕樹*; 木村 通*; 坪田 雅己*; 小島 由継*; 圓谷 貴夫*; 小口 多美夫*; et al.
Journal of Physics; Conference Series, 190, p.012070_1 - 012070_4, 2009/11
被引用回数:5 パーセンタイル:79.39金属ランタン水素化物LaHのランタン吸収端のXANES測定を実施し、水素化に伴うランタンとの電子状態変化を調べた。水素量の増加によって、2でランタン吸収端のホワイトラインの強度の増加が観測された。これは八面体サイトに水素が侵入したことによってランタン5のホールが増加したことに起因すると考えられる。一方で、ランタン吸収端の肩構造は水素量が0から2へ増加すると消失する。これは四面体サイトに侵入した水素によって-混成が弱められたためであると考えられる。