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口頭

熱ホール効果を示すTb$$_3$$Ga$$_5$$O$$_{12}$$のフォノンと結晶場

藤田 全基*; 南部 雄亮*; 河村 聖子; 古府 麻衣子; 中島 健次; Urlich, C.*; Sushkov, O. P.*

no journal, , 

非磁性絶縁体Tb$$_3$$Ga$$_5$$O$$_{12}$$の熱伝導はフォノンが担っているため、この物質が示す熱ホール効果はフォノンホール効果と呼ばれる。その起源は、二重項を基底状態に持つTbイオンによるフォノンの共鳴散乱である。このことを示すため、非弾性中性子散乱を用いて、フォノンと結晶場励起の測定を行った。これらの励起スペクトルの磁場依存性について報告する。

口頭

熱ホール効果を示すTb$$_3$$Ga$$_5$$O$$_{12}$$のの磁場下における結晶場励起

森 道康; 藤田 全基*; 南部 雄亮*; 河村 聖子; 古府 麻衣子; 中島 健次; Urlich, C.*; Sushkov, O. P.*

no journal, , 

非磁性絶縁体Tb$$_3$$Ga$$_5$$O$$_{12}$$は、フォノンによる熱ホール効果(フォノンホール効果)を示す。その起源は、Tbイオンの結晶場励起を伴ったフォノンの共鳴散乱である。非弾性中性子散乱を用いて、磁場下におけるフォノンと結晶場励起の測定を行った。磁場下における結晶場励起の解析結果について報告する。

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