JOPSS:検索結果一覧

論文

Resonant O K emission spectroscopy of layered manganate La $_{1.2}$ Sr $_{1.8}$ Mn $_{2}$ O $_{7}$

安居院あかね; Kmbre, T.*; Sthe, C.*; Nordgren, J.*; 薄田学; 齋藤智彦*; 守友治*

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 144-147, p.589 - 592, 2005/06

https://doi.org/10.1016/j.elspec.2005.01.103

被引用回数：1 パーセンタイル：5.68(Spectroscopy)

ペロプスカイト型層状マンガン酸化物La $_{1.2}$ Sr $_{1.8}$ Mn $_{2}$ O $_{7}$ についてO K吸収端近傍で軟X線吸収分光実験及び共鳴発光分光実験を行った。吸収スペクトルはこれまでのペロプスカイト型マンガン酸化物のスペクトルを再現した。発光分光スペクトルは異なる化学状態の酸素2pの状態密度を反映し、ローカルデンシティアプロキシメーション法によるバンド計算の結果との比較によって説明された。

論文

Anisotropy of resonant inelastic X-ray scattering at the edge of Si; Theoretical analysis

西川裕規; 薄田学; 五十嵐潤一*

Journal of the Physical Society of Japan, 73(11), p.3171 - 3176, 2004/11

https://doi.org/10.1143/JPSJ.73.3171

被引用回数：3 パーセンタイル：26.46(Physics, Multidisciplinary)

シリコンのK吸収端での共鳴非弾性X線散乱を、移行運動量,入射光エネルギー,入射光偏光を変化させて理論的に研究した。シリコンのK吸収端での共鳴非弾性X線散乱の異方性の存在を確認し、シリコンのK吸収端での共鳴非弾性X線散乱の実験結果に定量的な説明を提供した。シリコンのK吸収端での共鳴非弾性X線散乱のスペクトルの形状の含意を明らかにした。その結果、シリコンのK吸収端での共鳴非弾性X線散乱は、シリコンの価電子バンドの分散を反映して異方性を持つことが理論的に確認できた。またシリコンの内殻寿命幅は、異方性を持つにはかろうじて小さいが、スペクトルから価電子バンドの分散を決めるには大きいことがわかった。シリコン等の半導体,バンド絶縁体の共鳴非弾性X線散乱のスペクトルが異方性を持つための条件は、中間状態での寿命と伝導電子バンドの底の構造で決まることを提示し、一般的に半導体,バンド絶縁体の共鳴非弾性X線散乱のスペクトルが異方性を持つことは困難な傾向にあることがわかった。

論文

Magnetic resonant X-ray scattering at the Ga edge in UGa; A Band theoretical approach

薄田学; 五十嵐潤一*; 小玉祥生*

Physical Review B, 69(22), p.224402_1 - 224402_5, 2004/06

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.69.224402

被引用回数：20 パーセンタイル：65.76(Materials Science, Multidisciplinary)

UGaのGa-吸収端における磁気共鳴X線散乱スペクトルを、局所密度近似によるバンド計算に基づいて理論解析した。その結果、Gaバンドの軌道分極が起源となって磁気共鳴散乱スペクトルが得られることがわかった。そのGaバンドの軌道分極は、隣接するUサイトのバンドの大きな軌道分極によって誘起されたものであり、したがって、Ga-吸収端における磁気共鳴散乱スペクトルは隣接Uサイトの軌道分極と密接に関係していると言える。

論文

Resonant inelastic X-ray scattering at the K edge of Ge

西川裕規; 薄田学; 五十嵐潤一*; 小路博信*; 岩住俊明*

Journal of the Physical Society of Japan, 73(4), p.970 - 975, 2004/04

https://doi.org/10.1143/JPSJ.73.970

被引用回数：6 パーセンタイル：41.19(Physics, Multidisciplinary)

GeのK吸収端のエネルギーは硬X線領域に属する。したがってGeの電子系と電磁場の間での運動量移行は無視できなくなる。そこで共鳴X線非弾性散乱スペクトルの散乱ベクトル依存性の有無が興味の対象となる。以上述べたことを動機としてGeのK吸収端での共鳴X線非弾性散乱の実験とその理論解析を行った。結果として実験結果と理論解析はよい一致を示した。またGeの場合、共鳴X線非弾性散乱スペクトルの散乱ベクトル依存性はほとんど無いことが実験,理論的に確認された。これは内殻電子の寿命幅がGeの伝導バンド幅と等しいことによって共鳴X線非弾性散乱スペクトルが価電子バンドのp電子の状態密度の重ね合わせで書けるという事由によることが理論的にわかった。一般的に言って、硬X線領域での共鳴X線非弾性散乱の実験で価電子バンドの分散を決定するのは難しいと結論した。

論文

Band structures of Wurtzite InN and Ga $_{1-x}$ InN by all-electron calculation

薄田学; 浜田典昭*; 白石賢二*; 押山淳*

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2, 43(3B), p.L407 - L410, 2004/03

https://doi.org/10.1143/JJAP.43.L407

被引用回数：31 パーセンタイル：72.01(Physics, Applied)

ウルツァイト型InN及びGa $_{1-x}$ InNのバンド構造を、近似に基づく全電子FLAPW計算法を用いて計算した。InNのバンドギャップは1eV以下と求まり、最近報告された実験値を支持する結果となった。

論文

calculation of magnetic resonant X-ray scattering spectra in NiO

薄田学; 高橋学*; 五十嵐潤一

Physical Review B, 69(1), p.014408_1 - 014408_7, 2004/01

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.69.014408

被引用回数：11 パーセンタイル：49.52(Materials Science, Multidisciplinary)

この論文では、反強磁性体NiOのNi原子吸収端における磁気共鳴X線散乱スペクトルを第一原理計算に基づいて解析した結果を報告している。散乱振幅の計算では、共鳴過程における双極子遷移及び四重極子遷移を考慮し、また非共鳴散乱振幅も考慮した。スピン軌道相互作用を通して非占有バンドが軌道分極することにより磁気散乱スペクトルが現れることを計算から明らかにした。

論文

Bandgaps of Ga $_{1-x}$ InN by all-electron GWA calculation

薄田学; 浜田典昭*; 白石賢二*; 押山淳*

Physica Status Solidi (C), 0(7), p.2733 - 2736, 2003/12

https://doi.org/10.1002/pssc.200303278

被引用回数：2 パーセンタイル：68.34(Crystallography)

ウルツァイト型Ga $_{1-x}$ InNに対する準粒子バンド構造を、近似に基づく全電子FLAPW計算法を用いて計算した。InNに対するバンドギャップの計算値は1eV以下であり、最近報告された実験値を支持する結果となった。

論文

Charge-ordered state in single-crystalline CaFeO $_{3}$ thin film studied by X-ray anomalous diffraction

赤尾尚洋*; 東勇介; 薄田学; 西畑保雄; 水木純一郎; 浜田典昭*; 林直顕*; 寺嶋孝仁*; 高野幹夫*

Physical Review Letters, 91(15), p.156405_1 - 156405_4, 2003/10

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.91.156405

被引用回数：34 パーセンタイル：79.6(Physics, Multidisciplinary)

X線異常分散効果を利用した実験とバンド理論計算を実験結果の解析手法として利用し、CaFeO $_{3}$ の電荷分離状態の実態を議論した。これまでの実験では、電荷分離状態は290K以下でFeに2-siteが出現し、それぞれの価数が3価と5価に分離したと考えられていた。しかし、今回のわれわれの実験によりFeの3d電子の数は変化しないで、Fe-Oにおける3d-2p電子の混合状態が変わること、すなわち酸素2p状態にホールが局在した状態であることを示した。

論文

Magnetic resonant X-ray scattering in KCuF $_{3}$

高橋学*; 薄田学; 五十嵐潤一

Physical Review B, 67(6), p.064425_1 - 064425_7, 2003/02

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.67.064425

被引用回数：21 パーセンタイル：68.23(Materials Science, Multidisciplinary)

KCuF $_{3}$ におけるCuのK端での磁気共鳴X線散乱スペクトルを第一原理計算から求めた。フルポテンシャルLAPW法を用いて、格子歪みは実験から得られたものを入力した。スピン軌道相互佐用を考慮することで、磁気秩序に対応する超格子点でのブラッグ強度の実験結果を良く再現する結果を得た。また、軌道秩序に対応する超格子点でのブラッグ強度もよく再現でき、その強度が格子歪から来ていることを明らかにすることができた。

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