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宇都宮 伸宏; 神谷 富裕; 田中 隆一; 峰原 英介
第3回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.86 - 89, 1990/07
原研高崎での放射線高度利用研究テーマの1つである半導体デバイスのシングルイベント効果の研究では、複数個のイオンあるいはシングルイオンを狙った微小部位に打ち込み、照射効果の部位依存性解明や過渡現象の測定などの基礎研究を行うことが計画されており、それらを可能にするためのシングルイオンヒット技術の開発を現在行っている。今回は、シングルイオンヒット技術の検討結果及び実験経過などについて述べる。
神谷 富裕; 宇都宮 伸宏; 峰原 英介; 田中 隆一; 河野 和弘*; 岩本 英司*
第3回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.79 - 81, 1990/07
原研高崎ではMeV重イオンによるシングルイベント実験の可能なマイクロビーム装置が現在建設中の放射線高度利用研究施設に設置される。本装置の特色は光学系が前段と後段精密レンズ系によって構成されることである。精密レンズ系は、1mのビームスポットサイズを得るためにマイクロスリット精密Qレンズ等で構成される。前段レンズ系を置くことにより加速器のパラメータを変更すること無く精密レンズ系を通過するイオン電流を増減させることができる。これによって、まずある程度大きなビーム電流で1mのビームスポットサイズを確認したり、試料の照射部位を特定するための二次電子やRBSによるビーム計測をおこない、それにひき続いて容易に1mの位置分解能できわめて微少なビーム電流でシングルイオンヒット実験をするのが可能になる。今回は本装置の概要について述べる。