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田中 純貴*; Yang, Z.*; Typel, S.*; 足立 智*; Bai, S.*; van Beek, P.*; Beaumel, D.*; 藤川 祐輝*; Han, J.*; Heil, S.*; et al.
Science, 371(6526), p.260 - 264, 2021/01
被引用回数:30 パーセンタイル:99.14(Multidisciplinary Sciences)ノックアウト反応を用いることで、中性子過剰な錫同位体の核表面でのクラスター形成を実験的に確かめた。実験で得られた、質量数とともに単調に減少するノックアウト断面積は理論による予言と非常に良く一致し、クラスター形成率と中性子スキン厚との関係を示唆している。
Van der Beek, C. J.*; Rizza, G.*; Konczykowski, M.*; Fertey, P.*; Monnet, I.*; 岡崎 竜二*; 加藤 智成*; 橋本 顕一郎*; 下澤 雅明*; 宍戸 寛明*; et al.
Physica C, 470(Suppl.1), p.S385 - S386, 2010/12
被引用回数:1 パーセンタイル:6.5(Physics, Applied)ニクタイド超伝導体PrFeAsO中の結晶の乱れが、磁束の新入の磁気光学可視化,透過型電子顕微鏡,放射光X線回折を用いて調べられた。磁束分布の臨界状態,臨界電流の大きさと温度依存性が、すべての温度で酸素欠陥によるバルクの磁束ピン止めを示す。
Van der Beek, C. J.*; Rizza, G.*; Konczykowski, M.*; Fertey, P.*; Monnet, I.*; Klein, T.*; 岡崎 竜二*; 石角 元志; 鬼頭 聖*; 伊豫 彰*; et al.
Physical Review B, 81(17), p.174517_1 - 174517_11, 2010/05
被引用回数:97 パーセンタイル:93.8(Materials Science, Multidisciplinary)PrFeAsOとNdFeAs(O,F)超伝導単結晶での不均一性とフラックスピニングを定量的に評価するために、局所磁場測定が行われた。巨視的なスケールでの臨界電流密度の空間的な揺らぎにも関わらず、主要な寄与は、平均自由行程揺らぎ機構によるミクロな欠陥による磁束線の集団ピン止めから来ていることが示された。実験から導き出された欠陥密度はドーパントの原子密度と一致している。このことはドーパント原子が磁束のピン止めと準粒子散乱の両方に重要な役割を担っていることを示している。
石川 法人; Van der Beek, C. J.*; Dunlop, A.*; Jaskierowicz, G.*; Li, M.*; Kes, P. H.*; Della-Negra, S.*
Journal of the Physical Society of Japan, 73(10), p.2813 - 2821, 2004/10
被引用回数:2 パーセンタイル:19.87(Physics, Multidisciplinary)30MeV CフラーレンビームをBiSrCaCuO単結晶試料に照射し、試料表面200nmの深さまで20nm直径のトラックを形成した。照射により、臨界電流密度の向上を見いだした。照射された試料は、未照射試料の特徴である磁束液体-固体相転移と単原子イオン照射された試料だけの特徴であるBose Glass転移の両方の特徴を併せ持つ特異な磁束相図を示すことがわかった。