サトウキビ育種のための葉片組織培養物へのイオンビーム照射最適線量

遠嶋 太志*; 白尾 吏*; 上野 敬一郎*; 大江 正和*; 安庭 誠*; 長谷 純宏; 田中 淳

JAEA-Review 2006-042, JAEA Takasaki Annual Report 2005, P. 83, 2007/02

https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAEA-Review-2006-042.pdf

沖縄県久米島地域及び鹿児島県奄美地域を普及対象として育成されたサトウキビ品種"Ni17"は株出し適性が高く、耐風性も強い。しかし、葉鞘部に着生する毛群が粗剛であるため、収穫や栽苗等の作業に障害をきたしている。そこで、イオンビーム照射による突然変異誘発により毛群の少ない優良系統の育成を試みた。これまでに6575個体を幼苗検定に供し、無毛個体93個体,少毛個体286個体を得た。この後さらに、圃場選抜により、生育良好な有望個体37個体を選抜した。培養葉片への照射に炭素イオンビームを利用する場合は個体再生率の低下や生育に影響が少なく、変異出現率の高い線量として、220MeVCでは1Gy、320MeVCでは2Gy程度が適当であると考えられた。