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岡安 悟; 笹瀬 雅人; 北條 喜一; 知見 康弘; 岩瀬 彰宏; 池田 博*; 吉崎 亮造*; 神原 正*; 佐藤 浩行*; 浜谷 祐多郎*; et al.
Physica C, 382(1), p.104 - 107, 2002/10
被引用回数:28 パーセンタイル:75.35(Physics, Applied)新超伝導物質MgBの超伝導特性を改善するために照射効果を調べた。電子線照射は焼結体試料の粒界結合を損なうため、超伝導特性は悪くなる。一方、高エネルギー重イオン照射は、臨界電流密度ならびに不可逆磁場を改善する。また、高温超伝導体における円柱状欠陥生成メカニズムについて熱スパイクモデルを改良したTime-dependent Line Sourceモデルを適用して解析した。その結果、高速イオンが電子系に与えるエネルギーSeのうち1/4~1/3の値しか円柱状欠陥生成に寄与していないことがわかった。
黒田 直志; 石川 法人; 知見 康弘; 岩瀬 彰宏; 池田 博*; 吉崎 亮造*; 神原 正*
Physical Review B, 63(22), p.224502_1 - 224502_5, 2001/06
被引用回数:9 パーセンタイル:47.99(Materials Science, Multidisciplinary)酸化物超伝導体の磁束系に及ぼす柱状欠陥の形態依存性について調べた。まずTEMによる観察の結果、GeVイオンによって生成される柱状欠陥は、電子的阻止能が大きい時は、連続的な、直径のそろった1本のトラックであるが、阻止能が小さくなるに従い、直径に大きな分布を持った構造になる。このような柱状欠陥形態に依存して、磁束のグラス転移の様子も変化する。阻止能の大きなイオンによって生成された欠陥は、Bose-glass転移をもたらすのに対し、阻止能の小さなイオンによる欠陥は、Bose-glass転移とくらべて、大きな臨界指数を持った、vortex glass転移をひきおこす。
黒田 直志; 石川 法人; 知見 康弘; 岩瀬 彰宏; 岡安 悟; 池田 博*; 吉崎 亮造*; 神原 正*
Physica C, 321(3-4), p.143 - 150, 1999/00
被引用回数:11 パーセンタイル:54.58(Physics, Applied)高温超伝導体に重イオン照射を行うと円柱状の欠陥が生じることが知られており、円柱状欠陥を持つ高温超伝導体の磁束ピニングや磁束の動的挙動に興味が持たれている。われわれは、異方性の異なるBi(Sr,La)CuO単結晶とBiSrCaCuO単結晶において重イオン照射により円柱状欠陥を導入し、その時の磁束の動的挙動を交流帯磁率測定により調べ、異方性が磁束の動的挙動にどのように影響するか調査した。BiSrCaCuO単結晶にでは、ボーズグラス転移が見いだされたが、非常に異方性が強いBi(Sr,La)CuOではボーズグラス転移は見いだせなかった。これは、2次元の極限では、グラス転移が0K以上で起こらないことに対応していると考えられる。
安江 勝夫*; 曽根 好徳*; 三輪 敦志*; 吉崎 正*
JNC TJ7420 2005-069, 91 Pages, 1998/03
本調査では、日本列島の新第三紀鮮新世第四紀の地殻変動の地域性を把握するため、空中写真判読および文献等のデータ収集によって、日本列島のテクトニクスの変遷に関して従来の知見のとりまとめを行った。空中写真判読は、中国地方を中心として活断層の判読を行った。データ収集については、活断層の活動性に関する文献を収集し、活断層の活動性一覧表を作成するとともに、海域地質構造による地域区分図を作成する目的で、基図となる海底地質図等を収集した。
黒田 直志*; 石川 法人; 岡安 悟; 岩瀬 彰宏; 池田 博*; 吉崎 亮造*; 神原 正*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 146(1-4), p.572 - 576, 1998/00
被引用回数:0 パーセンタイル:0.01(Instruments & Instrumentation)重イオン照射されたBi系超伝導体において、交流帯磁率の損失ピークの周波数依存性が測定された。Bi-2212単結晶においてボーズグラス転移が表れるが、Bi-2201単結晶においては表れなかった。これは、Bi-2201単結晶の異方性が非常に小さいことに起因している。
黒田 直志*; 石川 法人; 岡安 悟; 岩瀬 彰宏; 池田 博*; 吉崎 亮造*; 神原 正*
RIKEN Accelerator Progress Report, 31, P. 98, 1998/00
Bi系超伝導体(Bi-2201,Bi-2212,Bi-2223)に対してXeイオン照射を行い、照射後の不可逆線が高温高磁場側にシフトすることを見い出した。