Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
のTi-M間電荷移動励起安居院 あかね; 魚住 孝幸*; 水牧 仁一朗*; Kaamber, T.*
no journal, ,
スピンフラストレーション系の代表物質であるイルメナイト(FeTiO)はFeがほかの遷移金属(M)になったMTiOとして物質群を形成する。イルメナイト酸化物ではTiの3dはd0となっている。われわれはイルメナイト酸化物の遷移金属イオンの電子状態を調べるために、スウェーデンの放射光共同利用施設MAX-lab I511-3、及びアメリカの放射光共同利用施設ALS BL7.0.1においてTi 2p吸収端での共鳴発光分光測定を行った。試料はMTiO(M=Mn, Fe, Co, Ni)単結晶を用いた。多重項を取り込んだMTiO
クラスターモデル計算を開発し、共鳴発光分光スペクトルのピークの起源を明らかにしたので報告する。
武田 全康; 加倉井 和久; 須永 和晋*; 角田 匡清*; 高橋 研*
no journal, ,
強磁性体であるFe
N
は、2.9Tにも及ぶ巨大磁気モーメントの存在が示唆されており、高密度磁気記録材料として有望視されている物質である。しかし、均一な単相試料を作成するのは容易でなく、これまで十分に再現性のあるデータが得られていなかった。最近、新しい窒化方法及び作成方法が実用化され、均一な薄膜試料が得られるようになり、磁化測定やM
ssbauer分光法などによる定量的な評価が可能になってきた。本講演では、FeNの薄膜試料に対して、巨大磁気モーメントの検証を目的として行った偏極中性子回折実験について報告する。
-Coハイブリッド薄膜の電子・スピン状態と巨大トンネル磁気抵抗効果境 誠司; 松本 吉弘; 菅井 勇*; 三谷 誠司*; 高梨 弘毅; 高木 康多*; 中川 剛志*; 横山 利彦*; 島田 敏宏*; 楢本 洋*; et al.
no journal, ,
X線吸収分光(XAS)及びX線磁気円二色性(XMCD)分光法を用いて、巨大トンネル磁気抵抗(TMR)効果を示すC-Co薄膜における電子・スピン状態の分光的追究を行った。Co L端及びC K端のXASスペクトルから、膜中でC-Co化合物を形成するCo原子はC分子と
-d混成による分子性状態を形成し、Co原子からC分子のLUMO由来状態への電荷移動を生じることがわかった。さらに、薄膜組成に依存してC-Co化合物とCoナノ粒子が共存する状態では、Coナノ粒子から化合物への電荷移動も生じることが示唆された。Co L端のXMCD分光では、C-Co化合物中のCo 3d軌道由来の状態に磁場によるスピン偏極を生じることが見いだされた。トンネル磁気抵抗効果の理論モデルに同スピン偏極状態のスピン輸送過程への関与を仮定すると、磁気抵抗効果の大きさ及び温度依存性がよく説明できることが明らかになった。本結果は、有機分子-遷移金属系材料のスピン輸送過程への有機分子性領域の直接的関与を強く示唆するものである。