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論文

Effect of Cl ion implantation on electrical properties of CuInSe$$_{2}$$ thin films

田中 徹*; 山口 利幸*; 大島 武; 伊藤 久義; 若原 昭浩*; 吉田 明*

Solar Energy Materials and Solar Cells, 75(1-2), p.109 - 113, 2003/01

https://doi.org/10.1016/S0927-0248(02)00115-0
 被引用回数：17 パーセンタイル：54.48(Energy & Fuels)

GaAs基板上に作製したCuInSe$$_{2}$$単結晶薄膜にClイオン注入を行い、電気特性を調べた。イオン注入は室温で5E17から5E19/cm$$^{3}$$のCl濃度の範囲で行った。注入後、窒素中400$$^{circ}C$$での熱処理で結晶性が回復することがわかった。Hall係数測定よりキャリア濃度を求めたところ、Cl注入量の増加とともに電子濃度が増加し、ClがCuInSe$$_{2}$$中でドナー不純物として働くことを明らかにした。電子濃度の温度依存性からClのイオン化エネルギーとして78meVが決定できた。

論文

Low energy proton-induced defects on n$$^{+}$$/p InGaP solar cell

Dharmarasu, N.*; 山口 真史*; Khan, A.*; 高本 達也*; 大島 武; 伊藤 久義; 今泉 充*; 松田 純夫*

Solar Energy Materials and Solar Cells, 75(1-2), p.327 - 333, 2003/01

https://doi.org/10.1016/S0927-0248(02)00176-9
 被引用回数：3 パーセンタイル：29.42(Energy & Fuels)

多接合太陽電池のトップセルであるn$$^{+}$$/p接合InGaP構造に100keV陽子線を照射し、電気特性に及ぼす効果をC-V測定法及びDLTS法により調べた。n$$^{+}$$/p接合InGaPは有機金属気相成長(MOCVD)法により作製し、陽子線照射は室温で1E12/cm$$^{2}$$まで行った。キャリア濃度の照射量依存性よりキャリア濃度減少率を見積もったところ6.1E4cm$$^{-1}$$が得られた。また、DLTS測定の結果、照射により400K付近にピーク(H1)が発生することがわかった。キャリア濃度測定の結果と比較することで、H1ピークはキャリア捕獲中心として働くことが判明した。

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