Electrical properties of radiation-damaged CuInSe thin films

吉田 明*; 夏目 聡*; Lee, H.-S.*; 岡田 浩*; 若原 昭浩*; 大島 武; 伊藤 久義

no journal, , 

次世代の宇宙用高効率薄膜太陽電池への応用が期待されるCuInSe(CIS)半導体へ電子線を照射し電気特性の変化を調べた。RFスパッタ法で作製した多結晶n型CISをCuSeとともに550Cで熱処理することでp型CISを作製し、室温で2MeV電子線を110210/cmの範囲で照射した。照射した試料の電気抵抗を室温で測定したところ、電子線照射量が110/cmまではほとんど変化はないが、それ以上の電子線照射量では急激に抵抗値が増加し、210/cm照射後には未照射試料の1000倍にも達することが判明した。さらに、電流-電圧特性の温度依存性を結晶粒界モデルを用いて解析した結果、電子線照射量の増加とともにCIS結晶粒界の障壁高さエネルギーが増加することが明らかとなった。これより、本研究で得られた電子線照射よる電気抵抗の増大は、結晶粒界に多量に生成されたキャリア捕獲中心に起因すると考えられる。