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論文

Growth temperature dependence of strain relaxation during InGaAs/GaAs(0 0 1) heteroepitaxy

佐々木拓生*; 鈴木秀俊*; 崔炳久*; 高橋正光; 藤川誠司; 神谷格*; 大下祥雄*; 山口真史*

Journal of Crystal Growth, 323(1), p.13 - 16, 2011/05

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.10.005

被引用回数：20 パーセンタイル：82.65(Crystallography)

In $_{0.12}$ Ga $_{0.88}$ As/GaAs(001)の分子線エピタキシャル成長中のひずみ緩和の様子をその場X線逆格子マッピングにより解析した。成長温度420, 445, 477 $^{circ}$ Cにおける残留ひずみ・結晶性の変化の様子が測定された。Dodson-Tsaoの運動学的モデルは、実験による残留ひずみの測定結果とよく一致することがわかった。さらにひずみ緩和過程における転位の運動の温度依存性の解析から、転位の運動の熱励起を議論することが可能になった。