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高橋 正光
no journal, ,
Recently, we have developed an X-ray diffraction technique for the in-situ and real-time monitoring of the molecular-beam epitaxial (MBE) growth of InAs/GaAs(001) quantum dots (QDs). We showed that the height and strain distributions of QDs can be measured every 10 s during growth. In the present work, we have upgraded our X-ray technique to determine the evolution of the shape and volume of QDs. X-ray diffraction experiments were carried out at BL11XU of SPring-8, using a surface X-ray diffractometer integrated with an MBE apparatus. After the in situ X-ray diffraction measurements, the samples were quenched to room temperature for AFM measurements. With the QD density obtained by AFM and the QD shape determined by X-rays, the total volume of QDs was calculated. The increasing rate of the QD volume is 1.5 times as large as an expectation from the deposited amount of InAs. This suggests that there is a considerable mass transport from the wetting layer to QDs.
吹留 博一*; 宮本 優*; 半田 浩之*; 高橋 良太*; 今泉 京*; 末光 眞希*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿
no journal, ,
sp
混成軌道の炭素の二次元ネットワークであるグラフェンは、半導体ロードマップに記述されているように、今やCMOSの次に期待されている物質のひとつである。グラフェンの主な問題は適当な基板上にエピタキシャル成長させるためのよい方法がないことである。実際に、グラファイトの剥離やSiC単結晶上でのエピタキシー成長のような現在行われている製作方法は、大量生産には向かない。われわれは三次元化されたシリコン上グラフェン(3D-GOS)を開発するため、最近のシリコン技術のトレンドに合った方法を探っている。3D-GOSに向けてキーとなる問題のひとつは、主要な面方位、例えば、Si(100), Si(110), Si(111)の上でのエピタキシャルグラフェンの形成である。本論文ではSi(110), Si(100), Si(111)面上の大面積グラフェンエピタキシーを提出する。結果はよいニュースに違いない。なぜなら、CMOSの次に向けたグラフェンベースの素子を三次元的に製作する新しい現実的な方法を開くことができたからである。
C
alloy layer/Si(001) surfaces穂積 英彬*; 小川 修一*; 吉越 章隆; 石塚 眞治*; Harries, J.; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*
no journal, ,
本研究では、リアルタイム光電子分光で調べたSiC合金層の酸化速度をもとにして、炭素の振る舞いを明らかにした。SiC合金層はSi(001)表面をエチレン(C
H
)に曝して形成した。Si中への炭素の固溶度は3.5
10
cm
と小さいが、二量体化誘起歪のために10
倍も大きくなり得ることが知られている。これはSi(001)表面の数シリコン層内に、x=0.2までのSiC合金層が形成され得ることを意味している。炭素と酸素の深さプロファイルの変化を比較して、酸化誘起歪による炭素拡散増速が考えられる。