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高橋 正光; 藤川 誠司
Japanese Journal of Applied Physics, 50(4), p.04DH06_1 - 04DH06_5, 2011/04
被引用回数：5 パーセンタイル：22.11(Physics, Applied)Self-assembled InAs/GaAs(001) quantum dot structures before and after quenching were investigated by in situ X-ray diffraction to assess the influences of quenching. Before quenching, quantums dots were uniform in size so that the shape and internal lattice constant distribution of a quantum dot were quantitatively determined on the basis of three-dimensional X-ray intensity mapping. X-ray measurements after quenching revealed that the quantum dot size showed a bimodal distribution as a result of proliferation of dislocated islands during quenching. A formula to describe the X-ray diffraction from dislocated islands with a large size distribution is presented. The quenching rate has little influence on the structures of quenched quantum dots for the cooling rate investigated.
formation during thermal oxidation of Si
Ge
alloy layer on Si(001) surfaces穂積 英彬*; 小川 修一*; 吉越 章隆; 石塚 眞治*; Harries, J.; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*
no journal, ,
歪Siを用いたCMOS電子デバイスにおけるGeの濃縮機構を明らかにするために、SiGe合金層の酸化反応速度をリアルタイムXPSによって測定した。室温と773Kの二通りの温度におけるSiGe合金層の酸化反応速度を比較することによって、773KではSiOが選択的に形成されるのに対して、室温ではGeが著しく酸化されることが見いだされた。この結果はGeの酸化速度が酸化誘起歪によるGe拡散に依存することを示している。
藤川 誠司; 高橋 正光
no journal, ,
半導体と強磁性体のヘテロ構造はスピントロニクスデバイスへの応用が期待されている。特に、Fe/GaAs(001)及びFe/InAs(001)ヘテロ構造は、それぞれ1.4, 5.4%という小さいミスフィットでなおかつ、それぞれの基板上にFe単結晶のエピタキシャル成長が可能なため、広く研究されている。いずれの基板についても、Fe膜の形成過程やFe膜と基板との界面構造の詳細はまだはっきりとしていない。そこで、本研究では放射光を用いてMBE成長中におけるFe/GaAs(001)及びFe/InAs(001)の各Fe成長量での面内逆格子マップ測定を行った。InAs(001)では6 MLで引張り歪を受けたFe 020回折が現れた一方、GaAs(001)上では既に格子歪が緩和したFe 020回折がFe
Ga
As2
回折を伴って4MLで現れた。これは、基板とFeとの界面に形成されたFeGaAsがFe膜の歪緩和を促進していることを示唆している。
圓谷 志郎; 境 誠司; 松本 吉弘; 楢本 洋*; Hao, T.*; 高梨 弘毅; 前田 佳均
no journal, ,
近年、グラフェンなどのナノカーボンを用いたスピントロニクスが注目されている。これらの材料ではスピン-軌道相互作用が小さいことからスピン拡散長が増大し、その結果高いスピン輸送特性の実現が期待されている。今回、単層
数層のグラフェン上に種々の金属薄膜を成長させ、グラフェン/金属界面の振動状態及び電子状態の変化について顕微ラマン分光を用いて調べた。剥離法により単層数層のグラフェンをガラス基板上に作製した。超高真空中でのアニールの後、グラフェン表面上に磁性金属薄膜を310nm蒸着した。作製した試料は大気中に取り出しラマン分光測定を行った。単層グラフェン/金属界面においては電荷移動では説明できない強い界面相互作用が生じることを明らかにした。グラフェン層数が2層以上では、電荷移動を伴う相互作用が生じることがわかった。さらに磁性金属とグラフェンとの界面においては電荷移動の極性は界面の接合状態に依存することを明らかにした。
