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口頭

Proton irradiation effects on p- and n-type GaN

岡田 浩*; 岡田 雄樹*; 関口 寛人*; 若原 昭浩*; 佐藤 真一郎; 大島 武

no journal, , 

耐放射線性デバイスの開発においては、デバイスの照射効果を理解するだけでなく、デバイスを構成する個々の材料の照射効果を明らかにする必要がある。今回は、耐放射線性窒化物半導体デバイスの開発に必要な知見を得るために、LED(Light Emittnig Diode)構造を持つp型及びn型窒化ガリウム(GaN)の陽子線照射による電気抵抗変化を調べた。380keV陽子線を1$$times$$$$10^{15}$$cm$$^{-2}$$照射すると、電気抵抗値がn型GaNでは約10倍しか増加しないのに対し、p型GaNでは10$$^6$$倍に増加したことから、GaNデバイスの照射劣化は正孔捕獲準位の生成が強く影響していることが示唆された。

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