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高柳 智弘; 杉田 萌; 植野 智晶*; 堀野 光喜*; 小野 礼人; 山本 風海; 金正 倫計
IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 32(6), p.4101405_1 - 4101405_5, 2022/09
被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Engineering, Electrical & Electronic)パルス電磁石を高精度に設計するためには、励磁するパルスパターン形状に依存して発生する渦電流の効果を正確に確認する必要がある。渦電流の効果の違いによってコイルに流れる電流分布は変わるため、その結果、磁場分布の変動やコイルの発熱にも影響を与える。J-PARC 3GeVシンクロトロン加速器(RCS)用の新型バンプマグネットを用いて評価試験を実施した。台形型のパルスパターンを用いて励磁し、磁場が変化するパターンの立ち上がり部と磁場の時間変化が無いフラットトップ部で磁場分布が異なることを磁場測定で確認し、励磁パターンと磁場分布の時間変化の関係性を明らかにした。これらの結果を使用することで、磁場分布の影響を受ける入射ビームの軌道制御に対しても高精度なコントロールが可能となり、また、励磁パターンのパルスの時間幅、発熱対策、且つ、コイル形状の最適化も可能になった。ここでは、実施した試験の結果、評価・検証の結果を紹介する。
不破 康裕; 高柳 智弘; 岩下 芳久*
IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 32(6), p.4006705_1 - 4006705_5, 2022/09
被引用回数：1 パーセンタイル：9.40(Engineering, Electrical & Electronic)大強度ビームを輸送するための手法としてJ-PARCリニアックにおいて多重極磁石を用いた空間電荷補正法が提案されている。この方式を実現するための機器として永久磁石を用いた複合多重極磁石を製作している。この多重極磁石ではビームを収束する四極成分に加えて空間電荷効果を補正する八極磁場成分を発生することができる。本項では製作した磁石システムの設計製作した磁石の機能と磁気的な特性を報告する。
不破 康裕; 岩下 芳久*; 近藤 晃弘*
IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 32(6), p.4007304_1 - 4007304_4, 2022/06
被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Engineering, Electrical & Electronic)強磁場の発生は加速器を含む先端研究を遂行するための重要な技術である。NbTIやNb
Sn,高温超伝導材を用いたハイブリッド磁石は強磁場の発生に使用することができるが、NbSnや高温超伝導材は材料コストが高い。そこで永久磁石をハイブリッド磁石に加えることで1T分の磁束密度を発生することができ、コストの高い線材の使用量が少なくすることができると期待できる。先行研究においては100Kまでの低温環境における永久磁石の磁化特性が調べられてきたおり、ネオジム磁石の磁化が100Kで減少することが知られている。一方で、ネオジムの代わりにプラセオジウムを使用した永久磁石では100Kにおいても磁化量が減ることなく保磁力も7T程度の値である。本研究では、プラセオジウム永久磁石の磁化特性を4Kの極低温において測定した。その結果、4Kにおいてプラセオジウム磁石の磁化は減少することなく10Tの保磁力を有することが明らかとなった。
不破 康裕; 高柳 智弘; 栗山 靖敏*; 岩下 芳久*; 高宮 幸一*
no journal, ,
永久磁石は加速器機器の高効率化において欠かせない材料であるが、加速器の大強度化に伴い永久磁石の放射線減磁が重要な問題となっている。この放射線源氏の大きさを系統的に評価するために、京都大学研究用原子炉において永久磁石材料に対する中性子照射を実施し放射線減磁の大きさを測定している。この実験では永久磁石材料に対して原子炉の照射設備を用いて中性子を照射し、照射前後の減磁率を測定、評価している。本発表では、ネオジム磁石およびフェライト磁石に対して実施した放射線減磁測定実験の結果を報告している。
杉田 萌; 阿部 充志*; 飯沼 裕美*; 大金 千織; 荻津 透*; 佐々木 憲一*; 三部 勉*; 下村 浩一郎*
no journal, ,
J-PARCのMuSEUM実験では、直径20cm、長さ30cmの回転楕円体の領域に対して、磁場の時間変動は0.2ppm以下に、均一度は時間に関わらず0.2ppm(p-p)以下に保つことが求められている。MuSEUM実験で使用するMRI用超伝導磁石は、超電導コイルの内側に鉄シムを配置することで均一度の調整を行うシミングという手法をとる。磁場が温度によって変化する要因は、シミング機構の熱膨張による鉄シムの移動と磁化変化であると考えられる。そこで、シミング機構を加熱しながら磁場分布を測定し、磁場と均一度の温度依存性を確認した。また、磁場の温度変化要因である鉄シムの移動と磁化変化をシミュレーションにより計算した。実験とシミュレーションの結果を複合して考えると、実験環境の温度を0.2Kで制御する必要があるという結論を得た。
