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/Si(001) and SiO/Si(111) interfaces studied by X-ray photoelectron spectroscopy and scanning tunnelling microscopyTang, J.*; 小川 修一*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*
no journal, ,
Si基板上のSiO層の熱分解は不均一なボイド核形成とその後に起きる2D形状の拡大によって進行することが知られている。しかし、ボイド核形成のメカニズムは未だに未知である。本研究では、SPring-8の放射光を使ったX線光電子分光によるリアルタイム観察によって酸化膜および酸化状態と同時に界面歪の情報を調べ、SiO/Si(001)およびSiO/Si(111)の熱分解の速度論的側面を明らかにした。
本田 充紀; 下山 巖; 岡本 芳浩; 鈴木 伸一; 矢板 毅
no journal, ,
Csを固定する能力の異なる2種類の粘土鉱物(バーミキュライトとカオリナイト)中でのCsの相互作用の違いがCsの電子構造に及ぼす影響と、水環境下におけるCs電子構造の変化を調べるため、Cs LIII吸収端での吸収端近傍X線吸収微細構造(NEXAFS)測定を行った。NEXAFSは内殻励起に起因する元素選択性を持つが、Cs LIII端(5.01keV)とTi K端(4.96keV)が極めて近いため、粘土鉱物中に存在する微量のTiによってCsのLIII端NEXAFS測定が困難であった。本研究ではKEK-PF BL-27に開発した蛍光法によるNEXAFS測定を用いて、粘土鉱物中の微量成分であるTiとCsを完全に区別して、Cs LIII端NEXAFSスペクトルを得ることに成功した。これにより粘土鉱物中での相互作用の違いがCsの電子構造に反映されることを明らかにした。また、イオン性固体であるCs化合物の標準物質との比較を行った。その結果標準物質とはスペクトル形状に違いが生じることを確認した。以上の結果から、本研究により粘土鉱物中のCsの電子構造は、粘土鉱物中のCsとは軌道混成が異なることを反映しており、粘土鉱物中のCs近傍のO原子との共有結合性の寄与が生じていることを明らかにした。
Al(210) surface induced by supersonic oxygen molecular beam at room temperatureXu, Y.*; 出村 雅彦*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆; 櫻井 惇也*; 平野 敏幸*
no journal, ,
NiAl(210)表面の超音速O分子ビーム(2.3eV)による室温酸化を高輝度放射光を利用したリアルタイム光電子分光によって調べた。O 1s, Ni 2p, Al 2p, and Ni 3pスペクトルの分子ビーム照射中の時間発展を調べた。スペクトル分析から、表面のAlとNI原子の両方が酸化され、Alの酸化の方がNiより速いことがわかった。
朝岡 秀人; 魚住 雄輝
no journal, ,
レーザーによる基板たわみを実測したストレス遷移と、電子線を利用したRHEEDの同時測定を行い、これまで計算のみで得られていたSi最表面の再構成構造内のストレスを、実験的手法で得ることに成功した他、成長機構の解明につながるGeナノドット形成過程のストレス遷移を、捉えることに成功した。
深谷 有喜; 圓谷 志郎; 境 誠司; 望月 出海*; 和田 健*; 兵頭 俊夫*; 社本 真一
no journal, ,
グラフェンは、極めて高い電子移動度や熱伝導度など、応用上有用な物性を多く有する新物質である。最近、様々な金属基板上でグラフェンの合成が可能になった。理論的な先行研究から、グラフェンと基板との距離はその基板の構成元素に依存し、さらにディラックコーンのエネルギー分散を変化させることが示された。しかし、グラフェンの高さは実験的にほとんど決定されていない。本研究では、全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法を用いて、CuとCo基板上のグラフェンの構造を実験的に決定した。TRHEPDロッキング曲線の測定結果には、基板元素の違いによる形状の変化が観測された。構造解析の結果、CuおよびCo基板上のグラフェンの高さをそれぞれ3.32
と2.24と決定した。前者の値はグラファイトの層間距離に近い。したがって、貴金属基板上のグラフェンは、遷移金属に比べて、基板と弱く相互作用していることがわかった。