JAEA
  • help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
検索結果：　1 件中 1件目～1件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

High-resolution photoemission study of Ce$$_{1-x}$$La$$_{x}$$RhAs; A Collapse of the energy gap in the Kondo semiconductor

島田 賢也*; 東口 光晴*; 藤森 伸一; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 生天目 博文*; 谷口 雅樹*; 笹川 哲也*; 高畠 敏郎*

Physica B; Condensed Matter, 383(1), p.140 - 141, 2006/08

https://doi.org/10.1016/j.physb.2006.03.081
 被引用回数：1 パーセンタイル：6.23(Physics, Condensed Matter)

近藤半導体CeRhAsのLa置換によるエネルギーギャップの崩壊を解明するため、Ce$$_{1-x}$$La$$_{x}$$RhAs(0$$leq$$x$$leq$$0.05)単結晶の高分解能角度分解光電子分光を行った。xの増加とともにフェルミエネルギー近傍のCe4f$$^{1}$$状態が減少し、高結合エネルギーに4f由来の構造が現れた。一方、Rh 4dに由来する状態は、置換によってあまり変化しない。新たに現れたCe 4f状態はインコヒーレントな性質であり、x$$>$$$$sim$$0.02における半導体状態の崩壊の原因である。

1 件中 1件目～1件目を表示
  • 1