Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
In
N by all-electron GWA calculation薄田 学; 浜田 典昭*; 白石 賢二*; 押山 淳*
Physica Status Solidi (C), 0(7), p.2733 - 2736, 2003/12
被引用回数：2 パーセンタイル：67.76(Crystallography)ウルツァイト型GaInNに対する準粒子バンド構造を、
近似に基づく全電子FLAPW計算法を用いて計算した。InNに対するバンドギャップの計算値は1eV以下であり、最近報告された実験値を支持する結果となった。
-related emission by Al
GaN中西 康夫*; 若原 昭浩*; 岡田 浩*; 吉田 明*; 大島 武; 伊藤 久義
Physica Status Solidi (B), 240(2), p.372 - 375, 2003/11
被引用回数：19 パーセンタイル：64.85(Physics, Condensed Matter)窒化物半導体の光通信用素子への応用を目的に、TbドープAlGaNの発光特性を調べた。これまで、TbドープGaNでは4f-4f遷移による500nm
600nmの波長を持つ発光特性が低温で出現すること,室温では熱消滅により発光が急激に減少することを明らかにしているが、素子応用にはより高温での発光特性が望まれる。本研究では、Al組成比を変化させることでバンドギャップを変化させ、熱消滅の要因となるErのトラップレベルからの電子の漏れを防ぐことを狙った。試料はサファイア基板上に有機金属気相成長法により作製した。Tbドープにはイオン注入(200keV, 1
10
/cm
)を用いた。注入後、結晶性の回復のため10%アンモニア含有窒素中で1000から1150
Cの熱処理を行った。フォトルミネッセンスにより発光特性を調べた結果、14Kの低温においてx=0.1ではx=0に比べ5倍強度が強いことが明らかとなった。発光強度の温度依存性を調べたところ、x=0の試料では7.8meVの活性化エネルギーで発光が消滅するが、xの増加とともに活性化エネルギーが上昇し、x=0.1では70meVとなり、Alの混晶効果により高温でも安定な発光が得られることが見いだされた。
GaN(0
x1)中西 康夫*; 若原 昭浩*; 岡田 浩*; 吉田 明*; 大島 武; 伊藤 久義; 柴田 智彦*; 田中 光浩*
Physica Status Solidi, 0(7), p.2623 - 2626, 2003/07
これまで、Euを窒化物半導体へドープすることで発光特性が発現することを明らかにしているが、さらなる発光強度の増加を狙い、EuドープしたAlGaN(0x1)の発光特性とAl組成の関係を調べた。Al組成の異なるAlGaNは有機金属気相成長法により作製し、イオン注入によりEu(200keV)を導入した。注入後、結晶性回復のため、試料は窒素中で1000から1600Cの熱処理を行った。発光特性はフォトルミネッセンス(PL)及びカソードルミネッセンス(CL)により調べた。その結果、Al組成によらず全ての試料でEuの4f電子間遷移に起因する発光(621nm)が観測された。Al組成比と発光の関係を調べたところ、x=0.5付近に発光強度の最大値があることが明らかとなった。これはAl混晶により結晶場が歪み、発光強度が増加するためと解釈できる。
