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坂井 徹; 佐藤 正寛*; 奥西 巧一*; 岡本 清美*; 糸井 千岳*; 中野 博生*
no journal, ,
S=1/2スピンナノチューブについて、数値対角化と密度行列繰り込み群の手法を用いて理論的に研究した。その結果、足方向と桁方向の交換相互作用の差について、新しい量子相転移を発見した。またキャリア・ドープしたスピンチューブの興味深い量子現象についても議論する。
松本 吉弘*; 圓谷 志郎; 小出 明広*; 大伴 真名歩*; Avramov, P.*; 楢本 洋*; 雨宮 健太*; 藤川 高志*; 境 誠司
no journal, ,
グラフェン基スピントロニクスデバイスの特性を司るグラフェン/磁性金属界面の電子・スピン状態について、深さ分解X線磁気円二色性分光による調査を行った。その結果、グラフェン/ニッケル界面においてニッケル中の電子スピン(磁化)の安定な配置が面直方向に変化する特異な物性(界面誘起垂直磁気異方性)が生じることが明らかになった。さらに、界面における相互作用によりグラフェンの電子状態が変化し磁性を帯びることも分かった。
圓谷 志郎; 楢本 洋*; 境 誠司
no journal, ,
Graphene attracts much attention as the most promising material for realizing molecular spintronic devices. In this work, magnetotransport properties of graphene spin valves were investigated for the vertical permalloy (Py)/graphene/Py devices with a current-perpendicular-to-plane configuration. The devices were fabricated by inserting layer-controlled graphene, which were grown by chemical vapor deposition, between two ferromagnetic electrodes of Py thin films. A positive MR was commonly observed for a series of the Py/graphene/Py devices at room temperature. The MR ratios were 0.2-0.3% and 0.3-0.5% for the single-layer graphene and bi-layer graphene devices, respectively. It is speculated that the spin injection and ejection efficiencies are reduced in the single-layer graphene device involved with the strong chemical interactions which could modify the electronic states of graphene and Py around the Fermi level, significantly different from the pristine states ideal for the spin filtering.