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口頭

Carbon condensation and 3C-SiC growth caused by oxidizing Si$$_{1-x}$$C$$_{x}$$ alloy layers on Si(001) substrate

穂積 英彬*; 小川 修一*; 吉越 章隆; 石塚 眞治*; Harries, J.; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*

no journal, , 

歪Siチャネルを持つ相補型金属-酸化膜-半導体(CMOS)デバイスがキャリア移動度を改善するために開発されてきた。そのようなCMOSデバイスでは、チャネル層はSi$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$又はSi$$_{1-x}$$C$$_{x}$$合金で形成される。Si$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$合金層の場合、酸化するとGeが濃縮される。一方、IV族合金層の酸化反応速度の詳細はまだ明らかになっていない。本研究では、Si$$_{1-x}$$C$$_{x}$$合金層の酸化反応速度についてリアルタイムX線光電子分光によって研究し、酸化速度と酸化途中の炭素原子の振る舞いについて明らかにした。

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