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論文

Experiments of cleaning effects of TDC, GDC and ECR-DC in the JFT-2M tokamak

松崎 誼; 小川 宏明; 三浦 幸俊; 大塚 英男; 鈴木 紀男; 山内 俊彦; 谷 孝志; 森 雅博

J. Nucl. Mater., 145-147, p.704 - 708, 1987/00

https://doi.org/10.1016/0022-3115(87)90428-4
 被引用回数：9 パーセンタイル：66.12(Materials Science, Multidisciplinary)

JFT-2Mでは放電洗浄の最適な選択・組合せにより、low Zeffプラズマ生成を目指している。これ迄テーラ型放電洗浄(TDC)、グロー放電洗浄(GDC)、ECR放電洗浄(ECR-DC)の各方式を適用し、その効果を実験した。この実験では三方式の比較を行う。三方式の主な運転パラメータはTDCでI$$_{P}$$~20kA,GDCでI$$_{G}$$~1.5A$$times$$2,ECR-DCではP$$_{R}$$$$_{F}$$~2.3kWである。まずマス・アナ、オージェ電子分光器で各方式の洗浄効果を観察した。TDCは酸素を主に、GDCは炭素を主に、ECR-DCでは双方を比較的良く除去する事が判明した。更に容器へ0.03Torr・lの酸素を注入、壁を汚染する。そのトカマク放電、放電洗浄を繰り返してトカマクプラズマの変化を調べた。その結果TDC、ECR-DCではVe,Prad/ne,O?V/neの減少など洗浄効果が出たが、GDCではプラズマにその様な効果は表われなかった。

論文

Chemical sputtering yields of graphite; Sintereddiamond compacts and diamond films

山田 禮司

J. Nucl. Mater., 145-147, p.359 - 363, 1987/00

https://doi.org/10.1016/0022-3115(87)90360-6
 被引用回数：61 パーセンタイル：97.40(Materials Science, Multidisciplinary)

黒鉛、焼結ダイヤモンド、ダイヤモンド薄膜の化学スパッタリング収率を、入射H$$^{+}$$イオンのエネルギー、電流密度、試料温度をパラメータに測定した結果を報告する。 以前に化学スパッタリングによりCH$$_{4}$$が生成することを報告したが、今回それ以外にC$$_{2}$$H$$_{2}$$,C$$_{2}$$H$$_{4}$$,C$$_{2}$$H$$_{6}$$更にはC$$_{3}$$化合物が生成していることを見い出した。C$$_{2}$$H$$_{2}$$,C$$_{2}$$H$$_{4}$$,C$$_{2}$$H$$_{6}$$の入射エネルギー依存性では、~0.3keV付近でピークを持つ。これは、CH$$_{4}$$が~0.8keV付近で最大となるのに対して、大きくずれている。温度依存性に関しては、CH$$_{4}$$,C$$_{2}$$H$$_{2}$$,C$$_{2}$$H$$_{4}$$,C$$_{2}$$H$$_{6}$$とも~450~500$$^{circ}$$C付近で最大となり大きな差は無い。更に、電流密度依存性に関しては、1$$times$$10$$^{1}$$$$^{5}$$個/cm$$^{2}$$sec以下ではCH$$_{4}$$の収率は電流密度とともに幾分減少するが、1$$times$$10$$^{1}$$$$^{5}$$個/cm$$^{2}$$sec以上では一定となる。また収率が最大となる温度に関しても、上記の電流密以上では、電流密度に依存しない結果を得た。

論文

Projectile dependent sputter-erosion of oxygen-exposed molybdenum at different temperatures

西堂 雅博; H.L.Bay*; H.Gnaser*; W.O.Hofer*; J.Bohdansky*; J.Roth*

J. Nucl. Mater., 145-147, p.387 - 390, 1987/00

https://doi.org/10.1016/0022-3115(87)90366-7
 被引用回数：1 パーセンタイル：19.10(Materials Science, Multidisciplinary)

高融点金属(INTOR用ダイバータ板候補材料)であるモリブデンの酸素雰囲気における高温(500$$^{circ}$$C付近)でのスパッタリング特性を調べた。軽イオン(He$$^{+}$$,D$$^{+}$$)によるスパッタリング収率は重量法により、He$$^{+}$$照射によるスパッタ粒子放出角度分布は堆積法により、また、Ar$$^{+}$$照射によるスパッタ粒子の構成粒子分布は質量分析法によりそれぞれ測定した。 500$$^{circ}$$C付近のAr$$^{+}$$照射で観測される酸素圧の上昇に伴なう損耗率の増加はMoO$$_{2}$$の形で照射誘起蒸発する過程が、新らたにつけ加わるために起こることが判明した。 一方、軽イオン照射による高温でのスパッタリング収率の酸素依存性は、室温でのそれから若干異なるが、Ar$$^{+}$$照射の場合にみられた損耗率の増加という顕著な違いはみられないことがわかった。

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