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神谷 富裕; 横田 渉; 小林 泰彦; Cholewa, M.*; Krochmal, M. S.*; Laken, G.*; Larsen, I. D.*; Fiddes, L.*; Parkhill, G.*; Dowsey, K.*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 181(1-4), p.27 - 31, 2001/07
被引用回数：31 パーセンタイル：87.32(Instruments & Instrumentation)原研高崎のAVFサイクロトロンの垂直ビームラインに設置された高エネルギー重イオンマイクロビーム装置において大気中生物細胞へのシングルイオンヒット技術を確立し、細胞自動認識高速ビーム照準システムを導入した。試料皿上に無数に散在する個々の細胞を照射前後にオフラインの顕微鏡において、全自動で認識するために、遠隔駆動の精密ステージと制御計算機及びソフトウェアからなるシステムを開発した。さらに認識された細胞の中から照射すべきものの位置を顕微鏡画像データから自動抽出し、それに基づいて全自動照射するためのオンラインシステムも同時に開発した。今回は、それらのシステムの概要を示し、テスト試料を用いて行った予備的な実験結果について報告する。
神谷 富裕; 酒井 卓郎; 平尾 敏雄; 及川 将一*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 181(1-4), p.280 - 285, 2001/07
被引用回数：2 パーセンタイル：20.62(Instruments & Instrumentation)原研高崎の重イオンマイクロビーム・シングルイオンヒットシステムを用いて、Si PINダイオードの局所領域にMeVエネルギーの重イオンを繰り返し入射することにより過渡電流波高をすべて計測し、照射損傷に由来する波高の減衰を観察した。その減衰傾向を特徴づけるため、統計関数ワイブル分布関数を導入し、データ解析を行った。
m
レベルで照射面積を変化させた場合、明らかな減衰傾向の違いが見られ、実験データから照射損傷と電荷収集の平面方向の広がりに関する情報を引出し得ることが示唆された。これらの測定を再現するために単純なモデルによるモンテカルロシミュレーションも試みた。発表では、照射実験、データ解析及びシミュレーションについて述べ議論する。
-PIXE大貫 敏彦; 香西 直文; Samadfam, M.; 安田 良; 神谷 富裕; 酒井 卓郎; 村上 隆*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 181(1-4), p.586 - 592, 2001/07
被引用回数：15 パーセンタイル：70.11(Instruments & Instrumentation)-PIXEはUの検出に関し、L線を用いるため、従来のSEM-EDS,EPMAよりも感度について優れていると考えられる。TIARAに設置されている-PIXEは、ビームを1m
まで絞ることができ、元素の空間分布を求めることができる。本研究では、岩石試料を用いて、Uの移行挙動を検討するうえで重要な、検出感度と空間分解能に関し、-PIXE法と従来法について比較した。その結果検出限界については、-PIXE
EPMASEM-EPSの順序となり、空間分解能においては、-PIXE
EPMASEM-EDSとなった。これらの結果から、Uの分布を調べる方法として-PIXEは有効であることがわかった。
大貫 敏彦; 香西 直文; Samadfam, M.; 山本 春也; 鳴海 一雅; 楢本 洋; 神谷 富裕; 酒井 卓郎; 村上 隆*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 181(1-4), p.644 - 648, 2001/07
被引用回数：4 パーセンタイル：33.30(Instruments & Instrumentation)アパタイトとスメクタイトの混合薄膜を用いて、Euの水溶液からの除去について検討した。薄膜中のEuの分布について、深さ方向に関してはRBSを、水平方向については、Micro-PIXEを用いて分析した。その結果、Euは深さ方向には一様に分布した。一方、水平方向についてはPの分布とほぼ同じになった。このことは、Euがアパタイトに収着していることを示している。
石井 保行; 磯矢 彰*; 荒川 和夫; 小嶋 拓治; 田中 隆一*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 181(1-4), p.71 - 77, 2001/07
被引用回数：15 パーセンタイル：70.11(Instruments & Instrumentation)デュオプラズマトロンタイプのイオン源と加速電極の単孔レンズ及び、ビーム加速機能を併せ持つ加速レンズを使用して超マイクロイオンビーム形成装置を設計及び、製作した。この装置を用いて予備実験を行い、ビームエネルギー30keV程度で、径0.43m程度のマイクロビームを形成することができた。しかし、この径は軌道計算で得られた値より大きく、しかも集束点の移動が観測された。この問題を解決するため、2つの実験を行った。レンズ系に入射するビームの発散角を調整することによりビームエネルギー30keV程度で、径0.28m程度のマイクロビームを得ることができた。集束点の移動をわずかに低減できた。この結果から、0.1m級のビーム径で、安定なビームの形成に向けた研究の方向性を得ることができた。
Laird, J. S.; 平尾 敏雄; 森 英喜*; 小野田 忍*; 神谷 富裕; 伊藤 久義
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 181(1-4), p.87 - 94, 2001/07
被引用回数：66 パーセンタイル：96.46(Instruments & Instrumentation)半導体デバイスに高エネルギー荷電粒子が入射すると、シングルイベント現象と呼ばれるデータ反転や故障が発生する。われわれは、シングルイベント発生の機構解明を目的として、入射イオン1個で半導体中に誘起される電荷の伝搬挙動を明らかにするため、イオンマイクロビームを用いた計測技術TIBIC(Transient Ion Beam Induced Current)、レーザを用いた計測技術TLBIC(Transient Laser Beam Induced Current)、並びに専用のデータ収集システムを新たに開発した。本報告では、開発した計測技術の概要に加え、TIBICシステムを用いて取得した15MeV炭素及び酸素イオン照射時のシリコンダイオード、ガリウム砒素ダイオード及びシリコントランジスタ(MOSFET)におけるシングルイベント過渡電流波形と電荷収集マッピングデータについても紹介する。
