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柳川 善光*; 小林 大輔*; 廣瀬 和之*; 牧野 高紘*; 齋藤 宏文*; 池田 博一*; 小野田 忍; 平尾 敏雄; 大島 武
IEEE Transactions on Nuclear Science, 56(4), p.1958 - 1963, 2009/08
被引用回数:10 パーセンタイル:54.27(Engineering, Electrical & Electronic)論理LSI(Large Scale Integrated Circuit)におけるソフトエラー発生率の評価を行うために、従来のスキャンフリップフロップ(FF: Flip Flop)に新たにソフトエラー検出・保持機能を付加したFFを実装したテストチップを作製し、論理LSI中の各FFについてソフトエラー発生率の測定を行った。試料へKr320MeVを照射し、発生するソフトエラー発生率の測定を実施した。また、SET(Single Event Transient)に起因するソフトエラー発生率についてSETパルス幅分布から数学的に予測した値と実測値との比較を行った。その結果、論理素子の種類がNOR時とNOT時の比で、数字的な予想値が2.5に対して実測値は2.42となり良い一致が見られた。このことからSETに起因するソフトエラーの発生率がSETパルス幅分布から数学的に予測することが可能であることがわかった。
久保山 智司*; 池田 直美*; 佐藤 洋平*; 平尾 敏雄; 田村 高志*
IEEE Transactions on Nuclear Science, 56(4), p.2056 - 2060, 2009/08
被引用回数:1 パーセンタイル:11.74(Engineering, Electrical & Electronic)シングルイベント耐性の評価パラメータとして、従来は表面LET(線エネルギー付与)が用いられているが、感応領域の厚いパワーデバイスにおいては、感応領域を通過中に入射イオンのLETが大きく変化するため、表面LETをパラメータとした評価は適当ではない。そこで、本研究ではパワーデバイスのシングルイベント耐性の評価方法として、感応領域内での平均LETを用いた手法を提案した。これは、シミュレーション(CREME96)で得られるLETスペクトラムから、そのデバイス感応領域における平均LET値を算出し、宇宙環境におけるシングルイベント発生率を計算する方法である。本研究では、Ni, Y, Xeを用いた評価試験の結果からパワー金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のシングルイベントゲートラプチャー(SEGR)発生率を見積った。その結果、MOSFETの偶発故障率をやや下回る程度の妥当な数値が得られることがわかった。