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口頭

Graphene/magnetic metal interfaces studied by micro-Raman spectroscopy

圓谷 志郎; 境 誠司; 松本 吉弘; 永松 伸一*; 楢本 洋*; 高梨 弘毅; 前田 佳均

no journal, , 

近年、グラフェンなどのナノカーボンを用いたスピントロニクスが注目されている。これらの材料ではスピン-軌道相互作用が小さいことからスピン拡散長が増大し、その結果高いスピン輸送特性の実現が期待されている。今回、単層-複数層までのグラフェン上に磁性金属薄膜を成長させ、グラフェン/磁性金属界面の振動状態及び電子状態の変化について顕微ラマン分光を用いて調べた。バルクHOPGから剥離法により単層-数層のグラフェンをガラス基板上に作製した。超高真空中でのアニールの後、グラフェン表面上に磁性金属薄膜を3-10nm蒸着した。作製した試料は大気中に取り出しラマン分光測定を行った。これまでに報告されていない新たな知見として、グラフェン-磁性金属間の化学的な強い相互作用はグラフェン単層のみに限定されるということが明らかになった。さらに、2層目以上のグラフェンへの電荷移動は、界面第1層の接合状態に依存するということがわかった。このようにグラフェン/磁性金属界面の電子状態を明らかにした。

口頭

Highly spin-polarized tunnel magnetoresistance in granular C$$_{60}$$-Co films

境 誠司; 松本 吉弘; 圓谷 志郎; 菅井 勇*; 高梨 弘毅; 高木 康多*; 中川 剛志*; 横山 利彦*; 島田 敏宏*; 楢本 洋*; et al.

no journal, , 

本研究では、グラニュラーC$$_{60}$$-Co薄膜中のC$$_{60}$$-Co化合物/Coナノ粒子界面におけるスピン偏極状態を調べる目的で、ナノ積層構造を有するCPP型のグラニュラーC$$_{60}$$-Co素子を作製して、トンネル磁気抵抗特性を調べた。素子の電流-電圧特性から高次トンネル過程の次数を見積もることができ、同過程による磁気抵抗率の増長効果を考慮することで、界面のスピン偏極状態を反映したトンネル電子のスピン偏極率を求めることができた。スピン偏極率の大きさが75%以上であることが明らかになり、同結果から界面に完全スピン偏極に近い高スピン偏極状態が存在することが明らかになった。

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