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論文

Josephson vortex flow and plasma amplification in high-Tc superconductors

町田 昌彦

Journal of Low Temperature Physics, 131(3-4), p.527 - 531, 2003/05

https://doi.org/10.1023/A:1022907420973
 被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Physics, Applied)

異方性の高い高温超伝導体における固有ジョセフソン効果の発見以後、当該効果の基本的物性及び、工学的応用性を調べる多くの研究が行われてきた。特に、ジョセフソン磁束フロー状態におけるプラズマ励起を利用する電磁波放射源は最も効果的なデバイスアプリケーションであると見なされ、多くの注目を浴びてきた。しかしながら、期待されたような強い放射は未だ実験的には報告されていない。本講演では、なぜプラズマ振動が十分に固有ジョセフソン接合外に接続され得ないのかを明らかにし、かつ自発放射に導くようなレーザー的プラズマ増幅を可能とするためのデバイス構成を提案し、それの大規模数値シミュレーション結果を示す。デバイス提案構成は以下のようになる。高温超伝導体サンプルを二つの大きな矩形超伝導体(及び金属)で挟みサンドイッチを作り、ジョセフソン接合面に垂直に電磁波の反射板を置く、こうした場合、励起プラズマ振幅はフロー方向に沿って増幅することが可能である一方、その増幅機構は基本的に接合アレイを作った場合の増幅機構とほぼ同等であることを数値シミュレーション結果を基に明らかにする。

論文

Does vortex lattice of YBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{6.94}$$ in H$$bot$$C melt below intrinsic-pinning irreversibility line?

石田 武和*; 奥田 喜一*; 朝岡 秀人

Journal of Low Temperature Physics, 117(5-6), p.1387 - 1391, 1999/12

包晶反応を利用した高純度、高品質なYBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{7-delta}$$単結晶を用いてH$$bot$$Cにおける磁束格子融解転移について交流磁化率の測定を行った。H$$bot$$Cにおいても同様に一次相転移が観測された。イントリンシックピンが存在する低温域にみられる不可逆曲線を決定した。しかしイントリンシックピンが存在しない温度領域でも融解転移が観測されたことから、H$$bot$$Cにおいてイントリンシックピンが一次相転移が起こる本質ではないと考えている。

論文

Evidence for vortex lattice melting and softening in untwinned YBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{7}$$ single crystal

石田 武和*; 奥田 喜一*; 朝岡 秀人; 数又 幸生*; 野田 健治; 武居 文彦*

Journal of Low Temperature Physics, 105(5-6), p.1171 - 1176, 1996/00

https://doi.org/10.1007/BF00753858
 被引用回数：3 パーセンタイル：22.89(Physics, Applied)

包晶反応を利用した高純度・高品質な酸化物超伝導結晶YBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{17}$$の双晶境界を除去し、交流磁化率の測定を行った。超伝導転移付近に、磁束格子のメルティングと考えられる幅0.1K程のトビを観測した他、磁束格子のリフトニングと考えられるピークを観測することができた。

論文

Gap symmetry and intrinsic intraplane pinning of untwinned YBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{7}$$ single crystals

石田 武和*; 奥田 喜一*; 朝岡 秀人; 数又 幸生*; 野田 健治; 武居 文彦*

Journal of Low Temperature Physics, 105(5-6), p.1165 - 1170, 1996/00

https://doi.org/10.1007/BF00753857
 被引用回数：2 パーセンタイル：16.23(Physics, Applied)

包晶反応を利用した高純度・高品質な酸化物超伝導結晶YBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{7}$$の双晶境界を除去し、磁気トルクの測定を行った。a-b面、c-b面の各方位における測定の結果、c-b面の測定においてよく知られている通り2回対称が観測されたのに対し、a-b面内においてCuO連鎖以外に起因する4回対称のイントリンシックな磁束ピンニングが観測された。

論文

Effect of pressure on T$$_{c}$$ in La$$_{2-x}$$Ba$$_{x}$$CuO$$_{4}$$ with x=0.125

毛利 信男*; 高井 満*; 富岡 明*; 小川 信二*; 上田 寛*; 高橋 博樹*; 片野 進

J. Supercond., 7(5), p.819 - 821, 1994/10

La$$_{2-x}$$Ba$$_{x}$$CuO$$_{4}$$の超電導は低温での正方晶構造の出現によって強く抑制される。この超電導と結晶構造の関連をより明確にするために、x=0.125の試料に圧力を印加し、超電導特性の変化を調べた。この結果、転移温度T$$_{c}$$は0.5GPaまでほとんど一定であるが、この圧力以上では圧力とともに大きく増大し、1.5GPaでほぼ一定値になることがわかった。最近の中性子回折実験によれば、正方晶構造が0.6GPa付近で消失することが示されている。従ってここで得られた実験結果は、構造相転移が超電導と強い相関を持つことを明確に示している。

論文

Ion irradiation effects in EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$ thin film

石川 法人; 岩瀬 彰宏; 岩田 忠夫; 前田 裕司; 鶴 浩二*; 道上 修*

J. Supercond., 7(1), p.241 - 242, 1994/00

C軸配向したEuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$超伝導薄膜について、ピニング機構のHeイオン照射効果を調べた。ピニングの強さを表わす磁束の活性化エネルギーを磁場中抵抗の温度依存性から見積った。flux creep modelが成り立つと考えられる低抵抗領域における活性化エネルギーは、Heイオンの照射量の増加にしたがって減少し、ピニング特性が劣化することが分かった。さらに我々は、臨界電流密度の照射量依存性を測定し、それがT$$_{c}$$の殆ど変化しない低照射量領域(~10$$^{14}$$cm$$^{-2}$$)ですでに減少し、Heイオン照射による点状欠陥がピニングセンターとして機能しない、という結論を得た。

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