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中嶋 佳則; 田島 訓
第11回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.84 - 87, 1999/01
TIARAの静電加速器は、イオンビームの特徴を生かして材料科学、バイオ技術などを中心に、高度な先端基礎技術分野の放射線高度利用研究に利用されている。これらの研究の中には、広い範囲にわたってビーム強度を変化させる実験やnAオーダーの非常に低いビーム強度を必要とする実験があり、これらのニーズに応えるために安定な微弱ビームを発生させなければならない。しかし加速器のイオン源はその出力を迅速に変化させることや低出力で安定に保つことが困難である。このため、遠隔可動スリットでビームをカットするスリット方式や多数の細孔を開けた板(メツシュ)をビーム中に挿入するメッシュ方式など、ビームを減衰させる装置を導入する必要があった。当初はスリット方式を採用していたが、安定な微少ビームを発生させるのには限度があったため、TIARA静電加速器ではメッシュ方式のビームアッテネータを設計、設置した。
齋藤 勇一; 田島 訓; 水橋 清; 神谷 富裕; 酒井 卓郎; 内藤 豊*
第11回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.65 - 68, 1999/01
MeV分子・クラスターイオンビームは照射ターゲットに与える影響が非線形効果のため通常の単原子イオンビームと異なることが予想される。我々はC
イオンの生成・加速に着手した。その結果、Cをスパッター型負イオン源で生成すると短時間でビーム電流が減少するとされていたが、これをスパッターカソードの作製時の圧力及びイオン源作動パラメータの最適化により安定に生成することに成功した。これまでのところ、Cイオンはタンデム加速器低エネルギーライン末端まで輸送されている。また、C
~C
について、C.E.I.による構造の観測を行った。観測手段としてこれまでCR39上の痕跡を利用していたが、新たに蛍光体付MCPとビデオカメラを用いてリアルタイム計測を可能とした。
神谷 富裕; 酒井 卓郎; 内藤 豊*; 平尾 敏雄
第11回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.126 - 128, 1999/01
3MWタンデム加速器のビームライン上に設置した重イオンマイクロビーム装置を用いたシングルイオンヒット技術を確立した。これを基に、試料に対してプログラムしたヒット位置と個数に従って自動的にシングルイオン照射するシステムを製作した。ビームのパルス化を制御するパルスジェネレータは、MCPからのシングルイオン検出信号を数えるカウンターと連動し、カウンターが動作中の時のみイオンの入射が許可される。また、イオンの入射がプリセット値に達した瞬間に後続の入射が禁止される。この制御機能がマイクロビーム走査の制御プログラムに組み込まれることにより、イオンを予め入力した個数と位置のデータに基づいて自動的に次々と打ち込むことが可能となった。本システムを用いて15MeVのNiイオンをCr-39上に微細なだるま状のヒットパターンで自動照射することに成功している。
田島 訓; 高田 功; 水橋 清; 宇野 定則; 大越 清紀; 中嶋 佳則; 齋藤 勇一; 石井 保行; 神谷 富裕; 酒井 卓郎
第11回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.37 - 40, 1999/01
TIARA静電加速器の平成9年度における運転時間は、3MVタンデム加速器、3MVシングルエンド加速器及び400kVイオン注入装置について、それぞれ1857時間、2144時間そして1863時間であり、複合ビーム利用を含む放射線高度利用に使用された。タンデム加速器では低エネルギー側の加速管3MW分を交換するとともに入射ラインを含むビーム軸の再アライメントを実施した。また、シングルエンド加速器では放電により劣化した電圧測定抵抗を交換した。本報告では各加速器の運転・整備及び利用状況について述べる。
石井 保行; 田島 訓; 高田 功; 水橋 清; 齋藤 勇一; 宇野 定則; 大越 清紀; 中嶋 佳則; 神谷 富裕; 酒井 卓郎
第11回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.72 - 74, 1999/01
3MVシングルエンド加速器は原研納入時にプロトン(P)のエネルギー1.880MeVをしきい値とする核反応
Li(p,n)Beを用いて校正を行っている。しかし、その方法では中性子の検出効率が低いこと、及び本加速器の加速電圧域で上記以外の核反応を確認することが困難なことから、数keVオーダーの分解能でエネルギー校正を行うことは困難である。我々は共鳴核反応
Al(p,
)
Siの中で反応エネルギー0.992MeVと1.317MeVを利用するエネルギー校正方法を採用した。この方法では反応幅が極めて狭いこと、及び線の観測を行うので検出効率が高いことから、数keVオーダーでの校正が可能である。この方法でエネルギー校正を行い加速器制御装置の表示エネルギーと2つの核反応エネルギーとの比較から校正定数として約2%の値を得た。