半導体の照射効果に及ぼす温度の影響

吉川 正人; 早川 直宏; 川上 和市郎

EIM-86-137, p.77 - 85, 1986/00

バイポーラトランジスタ 4種類を1.010R/hにて0.1~0.3MR,照射温度 室温~150Cの各温度にて照射し、この時の直流電流増幅率h及び逆方向飽和電流Iについて測定を行った。hは室温照射を行った時よりも加熱照射を行った時のほうが低下した。温度によっても異なるが、60~80Cの照射温度が最も低下し、それ以上の温度ではまた回復した。一方、Iは照射温度が高いほど特性が小さくなり、特に80C以上では顕著に減少した。照射線量による挙動の違いはみられなかった。 hの加熱照射による低下の原因は、主にIの増加によることがわかった。この原因としてSi/SiO界面の界面準位が考えられる。バイポーラトランジスタの耐放射線性の評価を行う場合、放射線に加えてその環境温度の影響を考慮する必要のあることがわかった。