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films; Observation of the layer structure in the depth direction and the large-scale in-plane structure by specular neutron reflection and off-specular neutron scattering坂口 佳史*; 花島 隆泰*; 笠井 聡*; 青木 裕之; 原 竜弥*; 村上 佳久*; 渋谷 猛久*
Journal of Materials Science; Materials in Electronics, 36(35), p.2247_1 - 2247_19, 2025/12
被引用回数：1 パーセンタイル：25.98(Engineering, Electrical & Electronic)The kinetics of Ag photo-diffusion into amorphous GeS
layer on SiO and Si substrates have been studied by specular neutron reflection and off-specular neutron scattering. It was found from the specular neutron reflection that the metastable Ag-rich reaction layer was formed between the Ag and GeS layers first by the Ag dissolution from the Ag layer, and then, subsequent Ag diffusion occurred from the Ag-rich reaction layer to the GeS host layer until the two layers merged into one uniform layer. The reaction process is the same as Ag/Ge
S
/ Si substrate, but it is different from GeS/Ag/ Si substrate. It was found from off-specular neutron scattering that the reaction interface was roughened at the early stage of the photoreaction, and that the photo-oxidized surface layer was significantly roughened by the extended light illumination after completion of Ag-diffusion.
ZnSnS
thin films induced by 200 MeV Xe swift heavy ions irradiationKhoualed, M.*; Boutebakh, F. Z.*; Chettah, A.*; 雨倉 宏*; 石川 法人; Ghemid, S.*; Attaf, N.*; Aida, M. S.*
Journal of Materials Science; Materials in Electronics, 32(20), p.25516 - 25527, 2021/10
被引用回数：6 パーセンタイル：30.72(Engineering, Electrical & Electronic)太陽電池の吸収層としての候補材である半導体CuZnSnSに、200MeV Xeの高速重イオンを照射して、紫外・可視分光法を用いて照射影響としての光学特性変化を評価し、X線回折法,ラマン分光法により結晶構造変化を評価した。その結果、吸収端エネルギーは、短い波長側にシフトし、バンドギャップは広がる方向に変化することが分かった。結晶性の劣化の挙動から、イオントラックの寸法が計測でき、サーマルスパイクモデルに基づいた計算予測と一致することが分かった。
and YVO single crystal杉山 僚; 奈良 康永; 和田 謙吾*; 福山 裕康
Journal of Materials Science; Materials in Electronics, 15(9), p.607 - 612, 2004/09
Nd:YVOレーザー結晶に放熱板として作用するYVO母結晶の接合を試みた。接合面の処理法にはこれまでの化学処理に代わる新たなドライエッチング処理を研磨後の結晶表面に適用した。接合のための熱処理プロセスにおいて、析出物の抑制には873Kの熱処理が必要であった。3
3mmの接合面を評価するために光学散乱測定及び波面歪み測定を行った。この結果、接合面での光学散乱密度は4.610
/cm
以下であり、また光学歪みは633nmにおいて0.04波長程度と推測された。さらに拡大観察試験では、接合界面においても結晶内部と同様に原子が規則正しく整列した状態を確認した。また、YVO結晶中のNd
イオンの拡散定数は873Kにおいて2.310
m
/secと推測された。
西村 昭彦; 杉山 僚; 宇佐美 力; 大原 和夫*
Journal of Materials Science; Materials in Electronics, 14(1), p.1 - 3, 2003/01
超高出力レーザー媒質候補としてのイッテルビウムガラス材料の性能向上について報告する。高濃度にイッテルビウム3価イオンを含有させたレーザーガラスを製作し、その線膨張係数をサファイヤに一致させた。強励起され発熱するイッテルビウムガラスの表面に熱除去のためのサファイヤ板を密着させた。間隙には1-ブロモナフタレンを充填することで、界面からの反射損失の低減と熱伝達の改善に成功した。集光強度20kW/cmの励起実験を行い、冷却特性の改善の確認及び界面の損傷が生じないことを確認した。イッテルビウムガラスとサファイヤの複合化により超高出力レーザーシステムの繰り返し動作の向上が可能である。
