Anisotropic nature in electron damage of some crystals

出井 数彦; 古野 茂実; 大津 仁; 西田 雄彦; 前田 裕司

Proc.5th Int.Conf.on High Voltage Electron Microscopy, p.489 - 492, 1977/08

電子線照射による損傷生成率の異方性を、電子線束分布の理論計算と超高圧電顕による欠陥生成の観察に基いて研究した結果を報告する。多波動力学理論により結晶軸100、110、111方向に入射した電子の、原子列の近傍での電子流密度を計算した結果、平均入射電子流の約4~6倍高い値を得た。この強い局在性が電子による損傷形成の異方性の大きな原因と考えられる。超高圧電顕により、GeとMo結晶中の欠陥形成の結晶方位依存性と電子線束依存性を観察した結果、損傷形成の異方性は、変位の「しきいエネルギー」以外に結晶中の電子の局在性による変位に有効な電子線束の増加が、結晶軸方向からの照射の場合に、大きな原因となっている事が実験的に検証された。