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野田 健治; 石井 慶信; 松井 尚之*; 渡辺 斉
Radiat.Eff., 97, p.297 - 305, 1986/00
核融合炉トリチウム増殖ブランケット材料としての酸化リチウム(Li
O)中の照射欠陥の性質を熱中性子炉又は酸素イオン照射した後、光吸収および電子スピン共鳴(ESR)測定することにより調べた。熱中性子炉又は酸素イオン照射したLiO中には主な照射欠陥としてF
中心(酸素空孔に1個の電子を捕獲したもの)が生成し、照射量と共に増加した。また、照射量が高くなると、酸素空孔の集合体と考えられる欠陥が生成すると共にコロイド状Li金属が粒界に優先的に析出した。酸素イオン照射における照射エネルギーとF中心の生成量との関係を調べることにより、F中心等の照射欠陥は「弾性的はじき出し」ばかりでなく、電子励起に関連した何らかの機構により生成すると考えられた。また、F中心の回復挙動を調べ、その回復の活性化エネルギーを135KJ/molと決定した。
高村 三郎; 小桧山 守*
Radiat.Eff., 91, p.21 - 38, 1985/00
極低温で各種アルミ希薄合金を高速中性子照射し、内部摩擦及び弾性率を測定した。各合金の内部摩擦のスペクトルはいろいろな焼鈍温度で成長消滅する。これを調べることにより格子間原子-溶質原子複合体には2~3の成分があり、それぞれの移動温度を知ることが出来る。溶質原子がPb,Si,Zn,Inなどのとき、内部摩擦スペクトルは極めて類似しており、複合体の構造も似ていることを示している。一方溶質原子がMu,Fe,Cu,Mgではそれぞれに特徴的なスペクトルをもつ、複合体の構造は異なっている。各合金の複合体の特性について議論した。
高村 三郎; 小桧山 守*
Radiat.Eff., 91, p.139 - 153, 1985/00
各種ニッケル合金を極低温で中性子照射した後、電気抵抗の等時焼鈍曲線を測定し、照射欠陥の回復過程を調べた。溶質原子による格子間原子の捕獲によって回復ステージIの量は減少する。この減少量は溶質原子の格子間原子捕獲能力に比例するものであり、溶質原子サイズとの関連で整理した。Ni中の溶質原子濃度を増加させた時に生成する溶質原子クラスターと照射欠陥との相互作用についても議論した。
小桧山 守*; 高村 三郎
Radiat.Eff., 84, p.161 - 169, 1985/00
極低温で高速中性子照射した稠密立方格子の点欠陥の回復過程を電気抵抗測定によって調べた。電子線,熱中性子による回復実験はあるが、高速中性子による実験は今迄行なわれていない。等時焼鈍時間を変えた時の回復ステージのシフトから格子間原子,空孔の移動温度を調べ、照射粒子線の種類の違いによる回復過程の変化を議論した。
高村 三郎; 小桧山 守*
Radiat.Eff.Lett., 86, p.43 - 46, 1985/00
低温で高速中性子照射した非晶質PdSi合金を室温まで昇温することに伴う回復過程を電気抵抗の測定によって調べた。360
Cに焼なましをして結晶化した合金と対比してみると、結晶化した合金では照射による電気抵抗の増加は10倍に増加する。室温までの回復率は非晶質合金の方が大きいことがわかった。
高村 三郎; 小桧山 守*
Radiat.Eff., 81, p.231 - 242, 1984/00
クロム単結晶を低温で高速中性子照射し、内部摩擦、弾性率、電気抵抗測定を行い、点欠陥の回復過程、対称性について調べた。この3つの測定手段を用いることにより格子間原子の自由運動は35Kで起こることがわかった。しかし格子間原子の回転運動は見られなかった。また、43Kで見られた大きな回復ステージは複格子間原子によって起こると思われ、緩和強度と対称性を求めた。
高村 三郎; 小桧山 守*
Radiat.Eff., 81, p.243 - 253, 1984/00
Al-Mg希薄合金の単結晶を低温で高速中性子照射し、内部摩擦、弾性率、電気抵抗測定を行い、格子間原子-マグネシウム原子複合体の回復過程や対称性について調べた。複合体は130Kと160Kの2つの温度で消滅する2種類があり、前者は
111
対称性をもっている。オーバーサイズの溶質原子であるが、計算の予想とは異なった結果が得られた。
高村 三郎; 小桧山 守*
Radiat.Eff., 49(4), p.247 - 250, 1980/00
マグネシウム、ジルコニウム、チタンを極低温で中性子照射したのち、電気抵抗測定によって、その回復過程を調べた。マグネシウムの回復過程のステージIIIは空孔移動によるものであり、ジルコニウム、チタンの空孔の移動が起る温度は両者とも250K付近であることがわかった。
高村 三郎
Radiat.Eff.Lett., 57, p.115 - 118, 1980/00
純鉄および鉄の稀薄合金では低温照射後、降伏応力が照射前に比べて減少する、いわゆる照射軟化現象が見られる。これはBCC金属共通の現象かを調べるため、Mo単結晶について実験を行った。 Mo単結晶の2方位のものを切り出し、圧縮試験を行った結果、〔100〕に近い方位のものは、照射軟化が見られた。各方位の降伏応力の温度依存性、焼鈍効果について求めた結果を報告する。
鎌田 耕治; 楢本 洋
Radiat.Eff., 42(3-4), p.209 - 216, 1979/00
2MeV V.D.G.に直結した超高真空イオン照射チェインバーによりブリスタリングとフレイキングのその場観察を行った。Nb単結晶表面で、300keV He照射により照射面積全面に亘るフレイキングが観察された。一方450keV,850keV Ne照射では同じ単結晶表面においてブリスターが観察された。この結果は従来云われていた表面温度の上昇によりフレイキングが起こるという説を不定するものである。弾性論的な計算の結果、フレイキングは1気圧以下の内圧で充分に起こり得る事が示された。また表面観察の結果、フレイキングは表面層の塑性変形を伴わずに形成され、逆にブリスタリングは塑性変形を伴う現象である事が示された。その場観察の結果として、臨界照射量が精確に測定された。
藤野 豊*; 山口 貞衛*; 平林 真*; 高橋 純三*; 小沢 国夫; 土井 健治
Radiat.Eff., 40(4), p.221 - 229, 1979/00
NbO単結晶に対する1MeV重水素イオンのチャネリング効果を研究した。Nb原子に対してはdの後方散乱収率、O原子は
O(d,p)
O
核反応のp収率を各々利用した。主な結果は次の通りである。1)d及びp収率の各結晶軸、結晶面周りの角度依存が測定され、得られたdip曲線の半値角と最低収量率がGemmell氏の式と比較し、その一致を見た。2)(111)面の面チャネリングに関する核反応収率は
0.18°に2重ピークを示し、Nb及びOの単原子面の繰返し構造を反映して居り、double minimum型の面ポテンシャルに基く計算との対応を行った。
山口 貞衛*; 平林 真*; 藤野 豊*; 高橋 純三*; 小沢 国夫; 土井 健治
Radiat.Eff., 40(4), p.231 - 237, 1979/00
1.5
10
nvt(1MeV)中性子照射したNbO単結晶の構造変化を0.9~1.1MeVdイオンのラザフォド散乱とO(d,p)O核反応収率の測定からdイオンチャネリング法で調べた。Nb及びO原子の角副格子のチャネリング効果が前報Iの結論を基にして論じた。明らかにされた主な結果は次の通りである。1)主な軸、及び面チャネル方位の角度収率曲線は中性子照射、によりXmin増加、
は減少する。dイオン照射でも同様、2)前項1)の結論は25%の空格子を持つSimple Cubic構造のNbO結晶が照射により少し歪んだNacl型構造に変化している。3)111,100に比較して110方位のO原子の変位が異常に大きく、dイオン照射によるdose依存性の110異常と一致した挙動を示す。4)軸方位の測定値にBarrettの式を適応し、各原子の変位値は約0.1
と推定した。5)(111)面チャネルはO原子に関し2重のフラックスピークを示したが、照射により1本のピークに変化し照射によるデチャンネリングを示している。
高村 三郎; 奥田 重雄
Radiat.Eff., 33, p.253 - 256, 1977/00
鉄を低温照射すると、降伏応力が非照射のものに比べて低下する、いわゆる照射軟化現象が起るが、他のBCC金属においても同様な現象が起るかどうかを調べることは意味のあることである。 本実験はNb、V単結晶を低温で中性子照射した後、引張試験を行った結果について報告する。降伏応力は低温照射によって硬化が起っている。
西田 雄彦; 出井 数彦; 古野 茂実
Radiat.Eff., 34, p.217 - 222, 1977/00
ゲルマニウム結晶を電子ビームで照射する時、内部に構成される電流密度の三次元的な分布が、電子回折多波理論により詳細に計算された。 ここでは代表的な結晶軸方向に電子が入射した場合を扱い、それに垂直な面上では分布のパターン自体が入射方向にある周期で振動することが分った。 結晶中での電流密度の局在が欠陥生成に及ぼす影響を議論するために「effective current ratio」Jeffなる量を導入する。ここでJeffは、原子列近傍の電流密度と平均電流密度の比として定義され、代表的な結晶方位では110、111、100の順に増加していることが見出された。 又その入射エネルギー依存性について100方向について検討した。
水林 博; 奥田 重雄
Radiat.Eff., 33, p.221 - 235, 1977/00
極低温高速中性子照射したMoについて~6K~50Kにわたる温度域の弾性余効を測定した。さまざまな照射欠陥による歪緩和を見出し、それらについて詳細に調べた。その結果、高速中性子照射の場合には格子間原子同士の相互作用が著しいことが言える。またMoでは、Wとは異なり大きな格子間原子集合体や不純物に捕獲された格子間原子に起因する緩和はほとんど存在しない。これらの測定結果と検討結果について述べたものである。
ion bombardment鎌田 耕治; 数又 幸生; 久保 和子
Radiat.Eff., 28(1-2), p.43 - 48, 1976/02
重イオン照射(450KeV Ar)により、初めてGe表面にブリスタリングを作り、走査型電子顕微鏡により観察した。金属表面のブリスタリングと異なり、照射量を増加させてもブリスターの密度は510
/cm
以上にはならない。さらに照射することにより、注入されたイオンガスの噴出によると思われる多数の孔が発生する。これらの孔が既に形成されているブリスターを侵食して、ブリスターは観察されなくなる。これらの観察結果は、Ge表面での非晶質化によって、イオンのレインゲが減少し、同時に固体の膨張によって注入されたイオンが動き易くなることを考慮して説明された。非晶質化と同時に、再結晶化も観察された。
土井 健治; 出井 数彦; 大津 仁; 富満 広
Radiat.Eff., 26(1-2), p.129 - 133, 1975/02
シリコン単結晶薄膜を透過した1000KeV電子線のエネルギー分析を、超高圧電子顕微鏡に設置したエネルギー分析器を用いて行なった。結晶は220ブラック反射の方位におかれ、結晶厚さをブラック反射の干渉高により求めた。1000
の厚さにおける透過電子線のエネルギースペクトルを測定した。測定結果の解析より損失確率の値(平均自由行路の逆数)がプラズモン励起、L殻X線励起についてそれぞれ0.520.0210
、1.50+0.0210と求められた。
-irradiated copper single crystals奥田 重雄; 水林 博
Radiat.Eff., 25(1), p.57 - 59, 1975/01
6
o-線照射した銅単結晶の弾性率変化を測定した結果、照射中に転位の釘付けにより弾性率の低下する場合があることを見出した。測定振動数が数100Hzでこのような現象が見られることは転位の運動に対する粘性抵抗が異常に大きくなる場合があることを示している。
and He ions in pyrolytic graphite岩田 忠夫; 小牧 研一郎*; 富満 広; 川面 澄; 小沢 国夫; 土井 健治
Radiat.Eff., 24(1), p.63 - 64, 1975/01
熱分解黒鉛のc軸に沿ってのHおよびHeイオンのチャンネリングを広角度のラザフォード散乱の測定により見い出した。臨界角(half angle)と最小収量(minimum yield)についての結果は次のようであった。深さ0のところの臨界角は理論とよく合ったが、臨界角の深さ依存性は他の物質で見いだされているものと異なり、深さと共に増加する傾向を示した。深さ0のところの最小収量は理論から推定されるものの2~3倍であった。
-irradiated at low temperature川面 澄; 小沢 国夫; 小南 思郎*; 赤坂 一之*; 波多野 博行*
Radiat.Eff., 22(4), p.267 - 275, 1974/04
JAERI-memo5587に同じ N-アセチル DL-メチオニン単結晶を低温でもしくはX線照射を行い、生じたラシカルを光学的手法及びESRによって調べた。照射直後に同定され得た化学種はイオウ原子の非結合性軌道に捕捉された正孔であり、
と名付けられ、350、450及び730nmに吸収帯を持つ。
は加熱もしくは光照射によってブルーシフトし、電子構造及び立体配置の少し異なる異性体であるやに変換する。450nmの光照射によってから、正孔がカルボキシル基の
軌道に捕捉された'に変換し、加熱によって可逆的にに戻る。又、350もしくは730nmの光照射によってが一次反応的に消滅し、熱発光によって及びの消滅に対応するグローピークを観測した。