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論文

Single crystal growth of gallium nitride by slow-cooling of its congruent melt under high pressure

齋藤寛之; 内海渉; 金子洋*; 桐山幸治*; 青木勝敏

State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors XLI and Nitride and Wide Bandgap Semiconductors for Sensors, Photonics, and Electronics V, p.587 - 592, 2004/10

高圧下融液の徐冷による窒化ガリウム単結晶の育成に成功した。6.0GPa以上の圧力を加えると分解を押さえて2220 $^{circ}$ Cで融液が得られることを放射光その場観察により見いだした。育成された単結晶試料のX線ロッキングカーブ測定の半値幅は30秒以下で、転位密度が小さい良質の単結晶であることが予想される。