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論文

Ion irradiation effects of EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$ thin film

石川 法人; 岩瀬 彰宏; 岩田 忠夫; 前田 裕司; 鶴 浩二*; 道上 修*

Superconductors, Surfaces and Superlattices (Trans. of Materials Research Soc. Jpn., Vol. 19A), 0, p.537 - 540, 1994/00

本研究では、EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$薄膜について、1MeVのHeイオンの照射をしたときの、不可逆曲線及び臨界電流密度といったピニング特性のイオン照射効果を調べた。1MeVのHeイオンをこの物質に照射すると、点状欠陥が生成されると考えられる。照射後、不可逆曲線は低温側に移動し、臨界電流密度の減少が観測され、照射によるピニング特性が劣化していることが判った。また、ピニング特性の劣化は、10$$^{13}$$cm$$^{-2}$$のオーダーの低照射量領域から起きていることが判った。

論文

Determination of the axial distribution of CuO$$^{+}$$ or Cu$$^{+}$$ in a superconducting disk sample by flow-coulometry

佐々木 祐二

Superconductors, Surfaces and Superlattices (Trans. of Materials Research Soc. Jpn., Vol. 19A), 0, p.301 - 304, 1994/00

酸化物超伝導物質中に含まれる、高酸化状態のイオン、CuO$$^{+}$$、又は低酸化状態のイオン、Cu$$^{+}$$、の分布状態の測定に関する湿式化学分析法が開発された。その手順は溶液を流しながら、試料ペレットを溶解する事、及び2段カラム電極による溶解液中の異なる酸化状態の銅のクーロメトリー定量などから成るものである。この方法をLa$$_{2-x}$$Sr$$_{x}$$CuOy、YBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$Oz超伝導試料ペレットの分析に適用した。これら試料中のCuO$$^{+}$$/Cu total比は表面からおよそ200$$mu$$mの表面領域中で徐々に増加し、一方Z$$<$$6.5のYBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$Oz試料中のCu$$^{+}$$/Cu total比はほぼ均一であった。

論文

Ion irradiation effects of EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$

数又 幸生; 岡安 悟; 道上 修*

Superconductors, Surfaces and Superlattices (Trans. of Materials Research Soc. Jpn., Vol. 19A), 0, p.413 - 416, 1994/00

EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$薄膜に230MeV Au$$^{14+}$$及び1MeV He$$^{+}$$イオンを照射し、照射による超電導特性の変化を調べた。Au$$^{14+}$$イオン照射では円柱状欠陥が、He$$^{+}$$イオン照射では点欠陥が生成していると考えられる。それぞれの欠陥について、臨界温度、帯磁率、臨界電流密度、磁束の活性化エネルギー及び不可逆曲線の変化を調べた。いずれの照射においても、臨界電流密度と活性化エネルギーの減少が観測された。また、不可逆曲線は点欠陥によっても変化することを示した。以上の結果から実験に使用した薄膜は照射前既に最高の臨界電流密度を持っていることがわかっ

論文

Superconductivity of electron irradiated La$$_{1.85}$$Sr$$_{0.15}$$CuO$$_{4}$$ single crystal

岡安 悟; 数又 幸生; 田中 功*; 兒嶋 弘直*

Superconductors, Surfaces and Superlattices (Trans. of Materials Research Soc. Jpn., Vol. 19A), 0, p.421 - 424, 1994/00

La$$_{1.85}$$Sr$$_{0.15}$$CuO$$_{4}$$単結晶に3MeVの電子線を2$$times$$10$$^{18}$$e/cm$$^{2}$$照射した。照射は室温、空気中で行った。この照射でおよそ100ppmの点状欠陥が結晶中に導入された。超伝導転移温度は36Kで照射によっても変化しなかった。照射前後で磁化の時間変化をSQUI-D磁化測定装置を用いて測定した。これらの緩和率を用いて、実効的な活性化エネルギーを臨界電流密度の関数として求めた。照射前後どちらのデータも活性化エネルギーは同じlnJの依存性を持っていて、U$$_{eff}$$(J,H)=const.g(T)ln(J/Jc)/Hの形で表される。ここでg(T)は(1-T/Tc)$$^{n}$$で表される。nは別の非可逆曲線の測定で求めたべきを用いる。

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