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O+
U reaction西尾 勝久; 池添 博; 永目 諭一郎; 浅井 雅人; 塚田 和明; 光岡 真一; 鶴田 薫; 佐藤 健一郎; Lin, C. J.; 大澤 孝明*
Physical Review Letters, 93(16), p.162701_1 - 162701_4, 2004/10
被引用回数:85 パーセンタイル:90.15(Physics, Multidisciplinary)
O+
Uといったアクチニド標的を用いた重イオン融合反応の核分裂片角度分布の測定によれば、サブバリヤエネルギー領域における角度分布の異方性は、従来のサドル点モデルより異常に大きな値を示すことがわかっている。これを解釈するため、サブバリヤ領域では完全融合が起きないとするモデルが提案された。
Uはレモン型に変形しており、サブバリヤエネルギーは
Oが
Uの先端部とだけ反応する。このことから、Hindeらは先端衝突では完全融合が起こらず、すべてquasi-fissionとして壊れると主張した。しかし、完全融合がおこるか否かは、蒸発残留核断面積を測定して初めて検証できる。本研究では、タンデム加速器から供給される
Oビームを利用して
O+
Uの蒸発残留核断面積を測定した。この結果、先端部衝突でも完全融合が起こっており、Hindeらの主張と異なる結果を得た。
D.L.Smith*; 池田 裕二郎; 宇野 喜智; 前川 藤夫
Proc. of 9th Int. Symp. on Reactor Dosimetry, 0, p.138 - 145, 1996/00
高速中性子照射した水の中には主として
O(n,p)反応により
Nが生成され、
Nは半減期7.3秒で崩壊し6.1MeVの
線を放出する。既知の反応断面積からその
線の測定により中性子場の強度をモニターできる。また、感度の異なる反応を有する元素を水に溶解することで広範囲の中性子束モニターが可能である。概念の妥当性をD-T中性子源FNSを用いて実験的に確かめた。水循環ループの一端をD-T中性子源の前面に設置し、中性子源から30mの地点で循環流から放出される
線を測定した。純水にYCl
を溶解し、
O(n,p)
Nに加えて
Y(n,n')
Y及び
Cl(n,p)
S反応も測定した。流速・流量、距離を用い中性子源強度を導出した結果、既存のモニターの値と誤差の範囲で一致した。本実験により、循環流体ドシメトリー法は、ITER等のD-T燃焼核融合実験装置の中性子発生モニターのみならず任意の高速中性子場ドシメトリーに有効であることが示された。
桑折 範彦*; 渡辺 幸信*; 羽根 博樹*; 樫本 寛徳*; 青砥 晃*; 井尻 秀信*; 相良 建至*; 中村 裕之*; 前田 和秀*; 中島 孝夫*
JAERI-M 94-011, 56 Pages, 1994/02
14および16MeV偏極陽子による
O(p,px)反応の二重微分断面積、弾性散乱及び非弾性散乱の微分断面積と偏極分解能を測定した。球形光学模型によって弾性散乱のデータを解析した結果、かなり良く再現された。しかし、虚部ポテンシャルとスピン軌道ポテンシャルの深さは14MeVと16MeVで大きく変化しており、複合核
Fの強い共鳴構造が影響していると考えられる。
岩瀬 彰宏; 正木 典夫; 岩田 忠夫; 仁平 猛*
Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 209, p.847 - 851, 1991/00
77.3KにおけるYBaCuO酸化物超伝導体の電流-電圧特性、及びその120MeV酸素イオン照射効果を測定した。電流I、電圧V、イオン照射量
の間には以下のような関係がみいだされた。log(V/V
)=
log(I/I
)
log(
/
)定数
、V
、I
は試料に大きく依存するが、
は試料によらず、ほぼ一定である。さらに電流の大きい領域でもlog(I)-log(V)カーブは別々の直線にのることも判った。これは熱励起した磁束対がトラッピングされていることを示唆するものである。
O ion irradiation at liquid nitrogen temperature on superconducting properties of Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O岩瀬 彰宏; 渡辺 光男; 岩田 忠夫; 仁平 猛*
Japanese Journal of Applied Physics, 28(11), p.L1939 - L1941, 1989/11
被引用回数:14 パーセンタイル:60.63(Physics, Applied)酸化物超伝導体Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-Oを液体チッソ温度において120MeVの
Oイオンで3.5
10
/cm
まで照射した。転移温度と臨界電流はイオン照射量の増加に伴い減少した。照射後の300kまでのアニーリングにより、転移温度と臨界電流は回復したが、100k以上における電気抵抗の回復はみられなかった。