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森林 健悟; 香川 貴司*; Kim, D. E.*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 205, p.334 - 336, 2003/05
被引用回数：7 パーセンタイル：46.40(Instruments & Instrumentation)イオンの内殻励起電離過程にかかわる原子データとその応用に関する研究を行っているが、今回は、X線天文学への応用に関して考察を行う。2005年に衛星「Astro-E2」が打ち上げられるが、「あすか」など今までの衛星よりも分解能の良いX線検出器が搭載される予定である。これにより、今まで以上に高精度な原子データを用いれば、宇宙をより深く理解できることが予想される。ここでは、イオンの内殻励起電離過程にかかわる原子データがX線連星から発生するX線スペクトル解析に重要であることを示した。SイオンとFeイオンが黒体輻射場にあるときの内殻励起状態からのX線量を計算した。黒体輻射の温度が低いとき内殻励起状態から発生するX線量はHe
よりも非常に少ないが、温度が3keVを超えると両者は、ほぼ同じになる。これを種々の元素に対してX線量を評価することにより、光の温度を推測できる可能性があることを明らかにした。
米谷 彰二*; M.I.Eremets*; 清水 克哉*; 小林 融弘*; 天谷 喜一*
Journal of the Physical Society of Japan, 66(9), p.2564 - 2565, 1997/09
被引用回数：61 パーセンタイル：93.69(Physics, Multidisciplinary)100GPaまでの超高圧下及び70mKまでの超低温において硫黄の電気抵抗を測定した。圧力が100GPaに近づくと硫黄は白金電極に匹敵する金属光沢を帯び初め、電気抵抗の温度依存性は金属的になる。そして15Kで超伝導転移を示すことを発見した。超伝導転移温度は超伝導体特有の磁場依存性を示すことを観察した。
/SiO
system関口-池浦 広美*; 関口 哲弘; 田中 健一郎*
Atomic Collision Research in Japan, No.21, 0, p.104 - 105, 1996/00
液体窒素温度に冷却したSiO基板表面上にSFを吸着した系において、Si
近傍の放射光を照射し、生ずる反応生成物の検出から、F原子だけではなくS原子をも含む活性種もエッチング反応に対して重要な役割を持つことが見い出された。又、表面反応層についての知見を得るため、光電分光法(XPS)を用いてSiピークのシフトの照射時間依存性を測定した。その結果、反応の初期段階において、SiO層が段階的にフッ素化されていることが見出された。以上の結果から、内殻励起エッチング反応機構について考察した。
横谷 明徳; 小林 克己*; 宇佐美 徳子*
Photon Factory Activity Report, P. 299, 1992/00
乾燥状態(粉末)のイオウを含むアミノ酸に対する、単色シンクロトロン軟X線の照射効果がこれまで調べられてきた。その結果、イオウのK殻励起を起こした場合とそうでない場合とで、分解生成物のスペクトルが変わることが明らかになった。本研究では、より生体に近い条件下でも、このような変化が起きるかどうかを調べることを目的とし、まず水溶液試料中に生成する分解生成物を検出することを試みた。試いたアミノ酸はシスタチオニンで、分子中にひとつのイオウ原子を含む。照射に用いたエネルギーとして、イオウK殻共鳴吸収ピーク(2473eV)をシンクロトロン放射を分光して得た。生成物は高速液体クロマトグラフィーを用いて、分離定量した。その結果、固体試料の場合とは異なる生成物スペクトルが得られた。同定された生成物のうち、OH基を持つものがあったことから、水中に生じたラジカルとの反応があることが示唆された。
松崎 誼; 大塚 英男; 谷 孝志
Japanese Journal of Applied Physics, 25(3), p.L209 - L211, 1986/00
被引用回数：9 パーセンタイル：46.41(Physics, Applied)JFT-2Mトカマクにおいて電子サイクロトロン共鳴プラズマによる放電洗浄(ECR-DC)を行った。ECR-DCの装置として2.45GHz,5kW CWの高周波発振装置とヘリカルアンテナ付ランチャーを製作・据付けた。ECR-DCの洗浄効果を直接観察するため、Moサンプルをリミタ位置まで挿入・照射し,その場でオージェ電子分光器(AES)で表面成分を観察した。その結果、酸素成分は照射前の28at.%から9at.%と約1/3に減少した。母材であるMoでは12at.%から34at.%となり、照射前より約3倍露出した。炭素成分は一旦減少するが、その後徐々に増加する。増加した炭素のオージェ電子ラインの形は、純粋なカーボンに似ている。120
Cベーキング中での放電洗浄ではイオウが現われる。これはステンレス鋼中のイオウが、ベーキングによって表面へ露出し、それがプラズマによりサンプル表面へ移送・堆積したものである。
徳永 興公; 鈴木 伸武
公害と対策, 22(6), p.537 - 543, 1986/00
電子線を利用した排煙処理法について、脱硫・脱硝機構、開発の経緯および開発の現状について述べる。さらに、今後の課題と展望についても付言する。
中瀬 吉昭; 栗山 将
IEEE Transactions on Electrical Insulation, 18(1), p.78 - 81, 1983/00
エチレン・プロピレンゴムを過酸化物で加硫し、その耐放射線性をイオウ加硫物と比較した。イオウ加硫物では原試料のゲル分率が高いほど、劣化は抑えられるが、過酸化物加硫試料では、ゲル分率の影響は認められない。劣化に対する線量率効果は、イオウ加硫物、過酸化物加硫試料ともに認められる。また、低線量率における酸化反応の優勢になることも同等である。これらの事実より、イオウ加硫物の耐放射線性が良好なことは、単にゲル分率の増加、すなわち架橋点の増加によるのではなく、架橋点の増加に伴うイオウ原子の増加になることが明らかとなった。
中瀬 吉昭; 栗山 将
Reports on Progress in Polymer Physics in Japan, 25, p.631 - 632, 1982/00
過酸化物により架橋したエチレン・プロピレンゴム(EPDM)の耐放射線性について検討した。EPDMの機械的性質は、線量の増加とともに極大を経て低下する。極大に到るまでは、性質の向上があり、その後低下が起るとみなすことができる。原試料の架橋度(ゲル分率)に関係なく、劣化が起り、かつ線量率の低いほど劣化の程度は激しい。一方、イオウ架橋(加硫)EPDMでは、線量率効果は上述と同様であるが、原試料の架橋度が大きいほど劣化は仕難い。EPDM中のイオウの存在量は、耐放射線性の向上に比例するような結果が得られた。
中瀬 吉昭; 伊藤 政幸
IEEE Transactions on Electrical Insulation, EI-16(6), p.528 - 532, 1981/00
被引用回数：7 パーセンタイル：68.48(Engineering, Electrical & Electronic)イオウ加硫エチレン・プロピレン・エチリデンノルボーネン三元共重合体(EPDM)の耐放射線性を研究した。EPDMの機械的性質は、照射すると極大値を示して変化する。この極大値は、供試料のゲル分率に左右される。一方、このゲル分率は、イオウ量と加硫促進剤の量を選択することにより大きく変化させることができる。試料の放射線劣化は、この極大値からの低下の度合いで評価できる。ゲル分率の高いEPDMは、ゲル分率の低い試料より劣化は少ない。劣化に対して線量率効果があり、照射中の劣化が酸素の拡散律速であることを示している。1
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rad/h以下では、この線量率効果が小さいため、通常100rad/h程度の原子炉格納容器内の劣化を評価することができる。硬さの変化は、劣化を評価するためのパラメータとして有効である。
中瀬 吉昭; 伊藤 政幸; 栗山 将
EIM-79-103, p.75 - 81, 1979/00
エチレンプロピレンゴムが耐放射線性にずぐれていることから、そのイオウ加硫物の耐放射線性について検討した。本報では、実用配合試料、すなわち、イオウで加硫したベースポリマーに、安定剤,加工剤,フィラー,可塑剤,酸化防止剤等を添加した試料、を用いた。安定剤,加工剤,及びフィラーの添加した試料では、その耐放射線性は低下する。これは、添加量が多い(50ph
)ため、照射による架橋反応が妨げられ、主鎖切断が優勢となるためである。この系に酸化防止剤を添加すると、上述の主鎖切断が妨げられ、材料の劣化速度は低下する。例えば、200Mrad照射試料の伸びは100%以上であり、実用上使用に充分耐える物性を有することがわかった。
桜井 勉
原子力工業, 21(4), p.45 - 48, 1975/04
フッ化物揮発法による核燃料再処理研究の化学的側面について触れてみた。フッ化物揮発法プロセスと技術的問題点を述べ、筆者らのフッ素化プロセスおよびルテニウムフッ化物に関する研究の一部を紹介した。フッ素化プロセスの研究では、フッ化ハロゲン等のフッ素化剤の反応性について述べ、ルテニウムについては、このものがフッ化物発揮法成否の鍵を握る物質であり、その化学的挙動の解明が重要なことを述べた。
S
安西 修一郎*; 小沢 国夫
Physical Review B, 7(7), p.3083 - 3088, 1973/07
被引用回数：4NiVTiSのvacancyのorder-disorder転移点は、一次転移の特長を有し348Cである。この転移点に対する圧力降下が7kbarまで電気抵抗で測定され、T
=348+9.2P-0.3P
で示される依存性が得られた。Bean、Rodbellの理論の比の系に対する適用がおこなわれ、ordering energy=-0.03eV/Ni、および圧縮率710
kbar
が得られ、また圧力による一次転移
2次転移の臨界圧力として、14kbarが求まった。実験データによるPは12kbarで一致がよい。dT/dPの値の大きいことはorder-disorder状態間でのNi原子の周りのvacancyの配位数の違いを考えることで説明された。
P中のPの含有量中村 治人
日本原子力学会誌, 10(4), p.178 - 182, 1968/00
元素状イオウをターゲットとして原子炉中性子で照射してPを製造するさいに、S(n,p)P反応のほかにS(n,p)P反応が生起してPが生成される。PはPと同じく純
放射体であってPよりやや長い半減期をもち、その線エネルギーはPより小さい。この性質はPのトレーサー実験のさいに半減期および線吸収曲線による解析を困難にしたり、妨害したりする。
