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森田 洋右; 大島 武; 梨山 勇; 山本 康成*; 川崎 治*; 松田 純夫*
Journal of Applied Physics, 81(9), p.6491 - 6493, 1997/05
被引用回数：22 パーセンタイル：71.61(Physics, Applied)これまで、結晶シリコン太陽電池はフルエンス量の増加と共に出力特性が徐々に劣化するといわれてきた。しかし、今回、高フルエンス領域までの陽子線又は電子線照射を行ったところ、特性が急激に劣化する特異な振舞いがみられた。特に、短絡電流(Isc)については、特性の急落の前に若干回復がみられることも明らかにした。DLTSやC-V特性で太陽電池の物性を調べたところ、照射欠陥が発生し、P形基板のキャリア濃度が減少していることが推察された。これより、この振舞いは、基板が真性半導体化し、空乏量が急激に伸びIscが若干回復するが、この後、ドリフト長が減少することで特性が急落するということで説明できることが分かった。
