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横田 渉; 佐藤 隆博; 及川 将一*; 酒井 卓郎; 奥村 進; 倉島 俊; 宮脇 信正; 柏木 啓次; 福田 光宏
JAEA-Review 2005-001, TIARA Annual Report 2004, p.291 - 292, 2006/01
高崎研究所のTIARAでは、高LET重イオンを用いた生体機能の解明や、宇宙用半導体のシングルイベント発生機構の解明等に利用するため、サイクロトロンで加速した数百MeVの重イオンビームを、4連四重極磁気レンズにより1m以下の直径に集束するマイクロビーム形成装置の開発を進めている。ビームのエネルギーの広がり(
E/E)を1
mの達成に必要な0.02%以下にするために、サイクロトロンにおいてフラットトップ加速を導入するとともに、主要ビームラインの再アラインメント及びビーム径計測方法の改良を行った。この結果、260MeV-Neビームを用いて、最小で2
m以下のマイクロビームが形成されたことを確認した。
根本 義之; 三輪 幸夫; 塚田 隆; 菊地 正彦; 辻 宏和
JAERI-Tech 2001-079, 25 Pages, 2001/12
現在、軽水炉の高経年化との関連において重要な検討課題とされているオーステナイト・ステンレス鋼の照射誘起応力腐食割れ(IASCC: Irradiation Assisted Stress Corrosion Cracking)の基礎的な研究のため、表面酸化皮膜の解析技術の検討及び解析を行った。酸化皮膜の微細構造観察用の薄膜試料の作製を集束イオンビーム加工法(FIB: Focused Ion Beam)によって行い、加工の際の表面酸化皮膜の保護方法などについて検討した。断面観察用試料作製時の酸化皮膜の保護方法として、Ni(ニッケル)メッキとCu(銅)メッキの比較を行った。その結果、表面酸化皮膜が合金から剥離せず、破壊されない状態で観察可能な薄膜試料にまで仕上げる方法を得た。またその方法によって試料を作製し、SUS304及びSUS304Si(シリコン)添加材の表面に288,飽和溶存酸素濃度の高温高圧水中で生成させた酸化皮膜の断面の微細構造観察及び化学組成分析を行った。酸化皮膜は厚いところで約1
mの厚さで、酸化スケールは直径約100nm程度の微細なFe(鉄)酸化物の析出物で構成されていた。また合金素地との境界には厚さ10nm程度のCr(クロム)酸化物の不動態皮膜が生成していた。
井上 多加志; 鈴木 靖生*; 宮本 賢治; 奥村 義和
JAERI-Tech 2000-051, 16 Pages, 2000/09
核融合実験炉用中性粒子入射装置(NBI)では、大面積から発生する負イオンビームを集束するとともに、引き出し部での電子抑制磁場によるビーム偏向を補正することが必要となる。本報告は、上記ビーム集束と磁場偏向の補正を孔変位によるビーム偏向で行うための基礎研究結果をまとめたものである。4枚の電極からなる引き出し部・加速器内の電極孔を意図的に変位させることにより、エネルギー50keVまでのHイオンビームを偏向した。電子抑制電極及び設置電極に孔変位を設けることにより良好な偏向特性が得られ、多孔大面積加速器から発生する負イオンビームの集束に適することが判明した。さらに孔変位によるビーム偏向が引き出し部内の磁場の方向に依存しないことを確認し、磁場によって偏向されたビームの軌道補正にも孔変位によるビーム偏向が適用可能であることを明らかにした。
井上 多加志; 宮本 賢治; 永瀬 昭仁*; 奥村 義和; 渡邊 和弘
JAERI-Tech 2000-023, p.27 - 0, 2000/03
JT-60U大型負イオン源は45cm110cmという大面積電極から大電流負イオンビームを生成する。一方、JT-60UのN-NBI入射ポート断面積は約60cm
50cmと狭小であり、ビーム損失を抑え高い効率で中性粒子ビームを入射するためには、加速管内での不整なビーム偏向を補正し、かつビームを集束する必要がある。本報告は電極孔変位(孔ズレ)によるビーム偏向について行った実験と設計検討の結果をまとめたものである。実験には3段階加速構造をもつ400keV負イオン源を用い、JT-60U N-NBIのフルパワー運転と同じパービアンスを保ってビーム偏向を行った。この結果電子抑制磁場によるビーム偏向の補正には電子抑制電極を、またビーム集束のために接地電極を変位させる、JT-60U大型負イオン源の電極孔パターンの設計を確定した。
井上 多加志; 宮本 賢治; 水野 誠*; 奥村 義和; 小原 祥裕; G.D.Ackerman*; C.F.Chan*; W.S.Cooper*; J.W.Kwan*; M.C.Vella*
Review of Scientific Instruments, 66(7), p.3859 - 3863, 1995/07
被引用回数:32 パーセンタイル:89.05(Instruments & Instrumentation)次世代熱核融合炉で用いられる高パワーイオンビームは、高効率な高エネルギー・大電流負イオンビームである。これらの要件を満たす1つの方法は、低電流密度のマルチ負イオンビームを集束して1本の大電流ビームを得る方法である。本論文は日米協力の下に行われたビーム集束実験の結果をまとめたものである。0.13Pa(1mTorr)、70V250Aという低いガス圧、低アークパワー条件下で原研製負イオン源から10mA/cm
以上のH
イオンを効率良く生成した。この負イオンを球面極率をもつ直径80mmの引出し領域から19本のビームとして引出し、ビーム集束加速器中で1本のビームに集束して加速し、100keV、100mAの大電流シングルビームを得た。集束ビーム径は23mm、外縁での集束角は30mradであった。これはLBLの既設ESQ加速器の入射条件を満たすものであり、大電流ビーム集束加速器の適用可能性を実証した。
J.W.Kwan*; G.D.Ackerman*; C.F.Chan*; W.S.Cooper*; G.J.de-Vries*; W.F.Steele*; Stuart, M. E.*; M.C.Vella*; Wells, R. P.*; 井上 多加志; et al.
Review of Scientific Instruments, 66(7), p.3864 - 3868, 1995/07
被引用回数:8 パーセンタイル:59.76(Instruments & Instrumentation)次世代トカマク型核融合炉用中性粒子入射装置では、マルチアンペアでビームエネルギー1.0MeV程度、パルス幅約1000sの負イオンビームが要求される。この協力DC負イオンビームを得るために各所で静電加速器の開発が推進されている。LBLでは負イオンを200keVまで加速する静電四重極(ESQ)加速器2モジュールが製作されている。本論文は日米協力の下に行われた集束ビームのESQ加速実験の結果をまとめたものである。原研製負イオン源から100mAの水素負イオンを19本のビームとして引出し、ビーム集束加速器内で1本の大電流ビームに集束した後ESQ加速器に入射してさらに加速することを試みた。この結果100mAの集束ビームはESQ加速器内で損失・エミッタンス成長することなく200keVまで加速することに成功した。
井上 多加志; 宮本 賢治; 水野 誠; 奥村 義和; 小原 祥裕; G.D.Ackerman*; C.F.Chan*; W.S.Cooper*; J.W.Kwan*; M.C.Vella*
15th IEEE/NPSS Symp. on Fusion Engineering,Vol. 1, 0, p.474 - 477, 1994/00
強力負イオンビームを集束するイオン引出し系の開発を行っている。この引出し系は、球面状に湾曲した電極からマルチビームレットを生成し、加速しつつ集束して1本のビームを形成してさらに高エネルギーまで加速するものである。この集束技術を中性粒子入射装置に適用すると、1)コンパクトなビームライン,2)高効率加速,3)ビームエネルギーを上げ、高い電流駆動性能、が得られる可能性がある。原研における最近の実験では、7個の引出し孔から発生したマルチビームレットを集束し、100keV、60mAのシングルビームを生成、ビーム外縁径20mm、ビーム発散角
30mradとすることに成功した。このビーム条件は静電四重極(ESQ)加速器の入射条件をほぼ満たしており、原研の負イオン源と集束引出し系を米国ローレンスバークレー研究所(LBL)に持ち込み、ESQ加速器との組合せ試験を行う予定である。
堀田 寛; 新井 英彦; 田中 隆一; 須永 博美
JAERI 1278, 75 Pages, 1982/06
気相放射線化学および気体レーザー発振の研究等で興味のもたれているFebetronのパルス電子線(480keV、8kAピーク、FWHM 3ns)の各種気体中のビーム挙動を主に、気体圧の関数として、照射セル中のビーム軸上に置いたアルミニウムーブルーセロハン積層線量系で測定した。観測された深部線分布曲線およびイオン化の数値計算から、びーむ挙動の支配因子を解明するとともに、ビームエネルギースペクトルの気体圧依存性および各種気体のイオン化過程について考慮した。その結果、(1)5Torr以下で見られたビームの自己集束性は生成正イオンのビーム電荷中和作用によること、(2)数Torr付近の発散はビームの誘導電場により気体が絶縁破壊され、セル中を流れる正味の電流が減少したためであること、(3)10Torr以上での自己集束性は気体圧増により気体の絶縁破壊が抑えられたこと、および(4)100Torr以上だの発散は、気体分子との多重衝突によるビームの発散であること等を明らかにした。
新井 英彦; 堀田 寛*
Radiat.Res., 77(3), p.405 - 416, 1979/00
被引用回数:1パルス電子線の集束度をビーム軸上に置いた線量計で測定すると、大体1Torr以下の低圧気体中では線量が気体圧に比例して増加する。この関係を、時間依存性をもつ空間電荷の中和因子を導入してシミレートした。この解析から、ある一定の線量を与える条件下では、Pion(E
)(P:気体圧、
ion(E
):エネルギーE
のビーム電子に対する気体の全イオン化断面積)は気体の種類に無関係に同一の値をとることを理論的に示した。この関係から求めた全イオン化断面積は文献値とよい一致をみせた。さらに、低圧で測定された深部線量分布曲線では表面線量が内部線量より高い場合が一般的であった。これは、ビーム電子が480keVの主成分の他に、低エネルギー成分をもつことを示している。
堀田 寛; 新井 英彦
Journal of Chemical Physics, 67(8), p.3608 - 3615, 1977/08
被引用回数:9Febetron706からのパルス電子線の自己集束は、気体によって異なるが、2~100Torrの中間圧域で崩壊する。これは二次電子の急激な倍増による気体の絶縁破壊によるものである。気体の各種性質の文献値から絶縁破壊時間を計算し、それとパルスの立上り時間との比較によって、自己集束崩壊を定量的に解析できることを示す
新井 英彦; 堀田 寛
Radiation Physics and Chemistry, 10(1), p.7 - 15, 1977/01
パルス電子線が自己集束するための媒体気体の最適圧が10Torr以下と100Torr以上の二つあることを既に発表したが、今回はHe、Ar、O中に第二気体を添加し第二高圧領域(10~300Torr)で現象がどのようになるかを調べた。第二気体は単に二次電子の冷却効果だけでなく、第二気体と第一気体との間の反応(主に電荷移動)、第二気体への二次電子の付着反応、両者の反応のエネルギー依存性など、いくつかの興味ある反応がこの現象に関与していることを明らかにした。
新井 英彦; 堀田 寛
Radiat.Res., 64(3), p.407 - 415, 1975/03
被引用回数:3Febetron706からのパルス電子線の自己集束性をガス圧の関数として測定した。10Torr以下での低圧でのピンチから求めた全イオン化断面積はガスのモル電子分極に対応している。10~40Torrでのピンチの立上りより、二次電子とガスとの相互作用は次の順であると考えられる。CHC
H
C
H
C
H
C
H
C
H
C
H
C
H
、そしてCH
CH
F
CHClF
CCl
F
。
田中 隆一; 須永 博美; 堀田 寛
Radiat.Res., 63(1), p.14 - 23, 1975/01
被引用回数:10Febetron706からのパルス電子線のアルミニウム・ブルーセロファン積層中でのdepth-dose曲線を、雰囲気のヘリウム圧や積層線量計の位置を変化させて測定した。その結果わかったことは、ヘリウム中では10Torr付近と600Torr付近で電子線は自己集束し、その間の50Torr付近では著しく発散することである。そこで、0.01,10,50,655Torrで詳しく各種位置でのdepth-dose曲線の変化を測定し、各条件での線質の変化を検討した。
堀田 寛; 田中 隆一; 須永 博美; 新井 英彦
Radiat.Res., 63(1), p.24 - 31, 1975/01
被引用回数:6H,D
,He,Ne,Ar,Kr,Xe中でFebetron706からのパルス電子線の自己集束性をアルミニウム-ブルーセロファン積層線量計を用いて研究した。その結果、10Torr以下でのピンチの起こる圧から気体の全イオン化断面積が求められた。20Torr以上で再び起るピンチは二次電子の再結合係数と関係していることがわかった。さらに高圧では一次電子線の多重散乱のため発散する。
堀田 寛; 田中 隆一; 新井 英彦
Radiat.Res., 63(1), p.32 - 41, 1975/01
被引用回数:7N,O
,N
O,CO
,SF
中でFebetron706からのパルス電子線の自己集束性を研究した。10Torr以下の低圧ピンチの起こる圧から気体の全イオン化断面積が求められる。10~50Torrでのピンチの立上りの様相は二次電子と気体との相互作用、主として電子-イオン再結合反応で説明することができる。150Torr以上での一次電子線の挙動はこの自己集束作用の他に多重散乱を考慮して
(
+1)M/Aの関数として統一的に説明できる。