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星屋 泰二; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*
Japanese Journal of Applied Physics, 29(8), p.L1443 - L1445, 1990/08
被引用回数:4 パーセンタイル:29.59(Physics, Applied)室温でヘリウム照射した多結晶Bi-Sr-Ca-Cu-O系薄膜について磁場中における電気抵抗の温度依存性を抵抗法を用いて測定した。その結果、低抵抗領域での遷移温度の拡がりは照射フルエンスの増加とともに抑制された。また、実効活性化エネルギーはイオン照射により増加した。これらの変化はイオン照射で導入されたピンニング・センターの存在に起因している。
星屋 泰二; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*
Japanese Journal of Applied Physics, 28(8), p.L1352 - L1354, 1989/08
被引用回数:5 パーセンタイル:34.33(Physics, Applied)高温超電導体Bi-Sr-Ca-Cu-O薄膜を室温で400keV Heイオン照射し、臨界電流の温度依存性を測定した。臨界電流は常電導状態での電気抵抗に逆比例しており、照射によって電気抵抗が増加するのに伴い、臨界電流は逆比例して減少する。臨界電流は超電導相-常電導相の羽結合相によって決められることを示す。照射後400Cに昇温すると臨界電流は元の状態に向って回復していく。
高村 三郎; 有賀 武夫; 星屋 泰二
Japanese Journal of Applied Physics, 28(7), p.L1118 - L1120, 1989/07
被引用回数:13 パーセンタイル:58.73(Physics, Applied)Bi-Sr-Ca-Cu-O系高温超電導体薄膜を400KeV-Heイオン照射し、電気抵抗法による臨界電流の磁場中測定を行った。照射欠陥による磁束線のピンニング強さを調べるための一つの実験手段として、磁場中冷却の場合と零磁場冷却の場合について測定を行ったところ、照射したものは著しい差が現れた。これらの実験から照射により生成した磁束線のピンニング強さに分布があることを確認した。またピンニング強さを求めた。