Production of endohedral Xe-fullerene by ion implantation

渡辺 智; 石岡 典子; 関根 俊明; 長 明彦; 小泉 光生; 下村 晴彦*; 吉川 広輔*; 村松 久和*

Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry, 255(3), p.495 - 498, 2003/03

https://doi.org/10.1023/A:1022524214082

イオン注入法による放射性原子内包フラーレンの生成の可能性を調べることを目的として、内包原子としてXeを用い、イオン注入法によるXe内包フラーレンの生成を行った。Ni基盤上に蒸着したCまたはCをターゲットとし、同位体分離器によりXeを40keVでイオン注入した。照射後のターゲットをo-ジクロロベンゼンに溶解した後、HPLCカラムに通し、溶出液中のCまたはCをUV検出器で、Xeの放射能をGe検出器でそれぞれ測定した。得られた溶離曲線に、XeとCまたはCとのピークの強い相関が見られたことから、Xe内包フラーレンが生成していると結論付けた。また、Xeピークにテーリングが見られた。このテーリングは、空のフラーレンからのXe内包フラーレンの単離の可能性を示した。