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Al strand in high magnetic fieldsKeys, S.*; 小泉 徳潔; Hampshire, D.*
Superconductor Science and Technology, 15(7), p.991 - 1010, 2002/07
被引用回数:42 パーセンタイル:82.68(Physics, Applied)ジェリー・ロール製ニオブ・アルミ線の臨界電流密度を、磁場,温度,歪の3つのパラメーターの関数として、はじめて測定し、その評価式を導いた。磁場は15T以下,温度は14K以下,歪は-1.8~0.7%の範囲で変化させた。
Al multifilamentary strand fabricated by a jelly-roll method高橋 良和; 小泉 徳潔; 布谷 嘉彦; 高谷 芳幸*; 辻 博史
IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 12(2), p.1799 - 1803, 2002/06
被引用回数:5 パーセンタイル:34.45(Engineering, Electrical & Electronic)原研はメーカと共同でITERのトロイダル磁場(TF)コイル用Nb
Al素線を開発してきたが、中心ソレノイド(CS)モデル・コイルを使用して実験されるNb
Alインサート・コイル用に、ジェリーロール法による素線を1トン製造した。この素線は、量産を目指した製造技術(品質管理技術を含む)を確立し、それを用いて製造されたものである。この素線の臨界電流値を広い温度範囲(4~15K)と磁場範囲(16Tまで)において測定し、ピンニング力のスケーリング法により、臨界電流値の実験式を導き出した。この式は、ITERの運転温度において、実験結果とよい一致が得られた。よって、この式は、この素線を1152本用いた13T-46kA導体の性能評価及び核融合用超伝導導体の最適設計基準の確立のために有用と考えられる。
イオン照射及び照射後熱アニールによるBi
Sr
CaCu
O
高温酸化物超伝導体単結晶の超伝導特性変化荻窪 光慈*; 内田 幸宏*; 寺井 隆幸*; 山口 憲司*; 山脇 道夫*; 林 君夫
東京大学工学部総合試験所年報, 59, p.91 - 95, 2000/12
原研から東京大学寺井教授への平成11年度委託研究「高温酸化物超伝導材料の照射改質方法の検討及び基礎試験(I)」の報告書である。高温工学に関する先端的基礎研究の一環として、高温工学試験研究炉(HTTR)を用いる新素材・材料開発研究の位置づけで、標記研究を平成6年度から開始しており、平成11年度は第2期の初年度にあたっている。超伝導材料Bi
Sr
CaCu
O
(Bi-2212)単結晶の高エネルギー重イオン(510MeV Kr)照射後の熱アニーリングに伴う特性変化の報告である。5
10
cm
または5
10
cm
の照射後に、試料を空気中、673Kまたは1073Kで1~6時間アニールした。673Kアニールの場合には、臨界電流密度Jcはアニール時間とともに徐々に減少した。一方、1073Kアニールの場合には、Jcは徐々に増加した。Jcとピニングポテンシャルの変化は、照射によって生成した柱状欠陥の数密度、サイズ及び回復挙動に密接に関係することがわかった。
Sn素線の開発と量産菊地 賢一*; 清藤 雅宏*; 森合 英純*; 岩城 源三*; 酒井 修二*; 西 正孝; 吉田 清; 礒野 高明; 辻 博史
低温工学, 32(4), p.167 - 172, 1997/00
ITER・CSモデルコイルに使用するNb
Sn超電導素線をブロンズ法を用いて開発した。高電流密度化として、ブロンズの高Sn濃度化、低ヒステリシス損失化としてフィラメント径の最適化、量産性の向上として加工中の断線原因の究明と対策を行った。この結果、ITER仕様を満足する高性能素線を高効率で量産できる技術を確立した。
Cu
O
数又 幸生; 岡安 悟; 道上 修*
Superconductors, Surfaces and Superlattices (Trans. of Materials Research Soc. Jpn., Vol. 19A), 0, p.413 - 416, 1994/00
EuBa
Cu
O
薄膜に230MeV Au
及び1MeV He
イオンを照射し、照射による超電導特性の変化を調べた。Au
イオン照射では円柱状欠陥が、He
イオン照射では点欠陥が生成していると考えられる。それぞれの欠陥について、臨界温度、帯磁率、臨界電流密度、磁束の活性化エネルギー及び不可逆曲線の変化を調べた。いずれの照射においても、臨界電流密度と活性化エネルギーの減少が観測された。また、不可逆曲線は点欠陥によっても変化することを示した。以上の結果から実験に使用した薄膜は照射前既に最高の臨界電流密度を持っていることがわかっ
中嶋 秀夫; 西 正孝; 江草 茂則; 吉田 清; 辻 博史; 瀬口 忠男; 萩原 幸; M.A.Kirk*; R.C.Birtcher*
JAERI-M 91-124, 41 Pages, 1991/08
超電導マグネットの開発において、材料特性のデータベースは無くてはならないものである。原研では、超電導材料の臨界電流密度、構造材料の極低温での機械的特性および複合材の照射効果のデータ等の測定を行ない、貴重なデータベースを保有している。これらのデータを公表することは、ITERの超電導マグネットシステムを設計・製作する上で貴重であり、ここに記述する。
Sr
Ca
Cu
O
films after ion irradiation星屋 泰二; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*; 三浦 貞彦*; 久保 佳実*; 正畑 伸明*
Japanese Journal of Applied Physics, 29(11), p.L2026 - L2029, 1990/11
被引用回数:5 パーセンタイル:33.94(Physics, Applied)ヘリウムイオン室温照射したBi
Sr
Ca
Cu
O
単相薄膜に関する電圧(電気抵抗)の温度依存性を種々の電流条件下及び磁場下で測定した。さらに磁束線の熱活性化挙動から、活性化エネルギーと臨界温度及びローレンツ力の関係を求めた。本実験の照射条件ではBi
Sr
Ca
Cu
O
単相薄膜のピン止めエネルギーと臨界電流密度はヘリウムイオン照射によって低下することが明らかになった。
松永 朔郎
Japanese Journal of Applied Physics, 11(2), p.255 - 262, 1972/02
被引用回数:3抄録なし