Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
高橋 周一*; 吉田 勝; 浅野 雅春; 埜富 光男*; 仲川 勤*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 217(3), p.435 - 441, 2004/05
被引用回数:15 パーセンタイル:67.43(Instruments & Instrumentation)重イオン照射したフィルムの物性変化を動的粘弾性測定(DMA),DSC,FT-IR,AFM,接触角測定,引っ張り試験などを用いて検討した。サンプルとしてはポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用いた。イオン照射はXeイオン(450MeV)を310から310ions/cmのフルエンスの条件で行った。引っ張り試験とDMAの結果から、イオン照射によりPETフィルムは架橋することがわかった。しかし、310ions/cmのフルエンスで照射したPETフィルムは引っ張り強度は増大したが、破断強度は低下した。このことから、高いフルエンスで照射することにより、ポリマーの主鎖切断が起こり、分解構造が形成されると結論した。また、DSCとFT-IRの結果は、イオン照射によってフィルムが非晶化することを示した。
Arifal; Hwang, G.; 小貫 薫
Journal of Membrane Science, 210(1), p.39 - 44, 2002/12
被引用回数:20 パーセンタイル:60.56(Engineering, Chemical)HI溶液の電界電気透析における市販陽イオン交換膜(CMB)のH選択性を向上させるため、電子線架橋を試みた。照射膜の基本特性(膜抵抗,イオン交換容量,含水率)を測定した結果、イオン交換容量及び含水率は変わらないものの、膜抵抗に有意の減少が認められた。また、HI溶液([HI]=9.5mol/kg)の電解電気透析を、75,9.6A/dmの条件で行った結果、照射膜は、未照射膜に比べて、高いH選択性を示すことを確認し、予測した選択性向上の可能性を示した。
山崎 孝則*; 瀬口 忠男
Journal of Polymer Science, Part A; Polymer Chemistry, 38(18), p.3383 - 3389, 2000/09
ポリプロピレン(PP),エチレンプロピレンゴム(EPR)の化学架橋の反応課程をESRで追跡し、反応機構を明らかにした。反応開始剤は150で分解を起こし、ラジカルを発生させ、これがPP及びEPRから水素原子を引き抜いてポリマーラジカルを発現させる。このラジカルが150~180の範囲で結合し架橋に至るが、ラジカルの発生、増減、消滅がESRで捕らえられた。酸化防止剤の種類、濃度の影響がラジカルの挙動によく反映された。
B.Tang*; 梶 加名子; 吉沢 巌*; 小原 長二*; 畑田 元義
JAERI-M 91-134, 47 Pages, 1991/09
連続気泡型ポリエチレンフォームの放射線加工を行う時の基礎データとして、連続気泡型ポリエチレンフォームを電子線照射したときの強伸度及びゲル分率の変化、また照射後の加熱の効果について検討を行った。未照射フォームは化学架橋により、約50%のゲル分率を示す。このフォームに電子線照射することにより、ゲル分率は約30%増大したが、強度は、室温、70C及び100Cのいずれにおいても殆ど変化しなかった。しかし、70C及び100Cにおける伸度は小さくなり、化学架橋に更に放射線架橋を加えることにより、高温での伸びを防げることが明らかになった。また寸法安定性は電子線照射により著しく改善された。
大阪研究所*
JAERI-M 9856, 131 Pages, 1981/12
本報告は昭和55年度に、大阪研究所において行なわれた研究活動を述べたものである。主な研究題目は、一酸化炭素、水素およびメタンの反応ならびにそれに関連した研究、高線量率電子線照射による重合反応の研究、ポリマーの改質、および上記の研究と関連した重合反応、高分子分解、架橋ならびにグラフト重合に関する基礎的研究などである。
大阪研究所*
JAERI-M 9214, 146 Pages, 1980/11
本報告は昭和53年度に、大阪研究所において行なわれた研究活動を述べたものである。主な研究題目は、一酸化炭素、水素およびメタンの反応ならびにそれに関連した研究、高線量率電子線照射による重合反応の研究、ポリマーの改質、および上記の研究と関連した重合反応、高分子分解、架橋ならびにグラフト重合に関する基礎的研究などである。
清水 雄一; 三井 光
Journal of Polymer Science; Polymer Chemistry Edition, 17(8), p.2307 - 2316, 1979/00
真空におけるポリスチレンの線橋かけ反応を、30~100Cの温度範囲において行った。線量率は63510rad/hrであった。水素の生成量は照射時間の増加および照射温度の上昇とともに増加するが、水素の生成速度は照射時間の増加に伴って低下する。ゲルの生成が初めて観測される限界時間以上照射すると、照射時間の増加とともにゲル分率は増加するが、ゲルの生成速度は照射時間の増加に伴って低下する。照射温度を上昇すると、ゲルの生成反応は抑制され、100Cでは極く僅かなゲル分率しか観測されない。水素の生成および消失反応がそれぞれ水素の生成量のゼロ次および一次に比例すると仮定した速度式を導き、水素の生成量を解析した。ゲル分率はCharlesby-Pinnerの式を用いて解析した。解析結果に基づいて、ポリスチレンの線橋かけ反応の機構を考察した。
重松 友道*; 畑田 元義
JAERI-M 7949, 111 Pages, 1978/10
本報告は日本原子力研究所・大阪研究所において昭和52年度に行なわれた研究活動について述べたものである。主な研究題目は、均一系および固体触媒存在下における一酸化炭素と水素の放射線化学反応、高線量率電子線照射によるビニル・モノマーおよびジエン系モノマーの重合繊維の耐熱性向上等を目的とした放射線グラフト重合、フイルム線量計の特性あるいは着色機構に関する研究、および上記の研究と関連して重合反応、高分子分解、架橋ならびにグラフト重合に関する基礎研究などである。
大阪研究所*
JAERI-M 7355, 85 Pages, 1977/10
本報告は大阪研究所において昭和51年度に行なわれた研究活動について述べたものである。主な研究題目は、均一系および固体触媒存在下における一酸化炭素と水素の放射線化学反応、高線量率電子線照射によるビニル・モノマーの重合、繊維の難燃化等を目的とした放射線グラフト重合あるいは架橋反応によるキュアリング、フィルム線量計の較正方法の開発、および上記の研究と関連して重合反応、高分子分解、架橋ならびにグラフト重合に関する基礎研究などである。
萩原 幸; 田川 徹*; 土田 英俊*; 篠原 功*; 鍵谷 勤*
J.Macromol.Sci.,Part A, 7(8), p.1591 - 1609, 1973/08
ポリエチレンの放射線橋かけ反応を真空中、アセチレンC~Cの高級誘導体およびそれらとテトラフルオルエチレン(TFE)の存在下に行なった。その結果、真空中照射ではポリエチレンの重量が減少するが、添加剤が存在すると逆に重量増加が見られた。また、反応物の赤外線スペクトルから、とくにC~Cの高級誘導体存在下では線照射によってトランスビニレンが増加し、一方アセチレン中では末端ビニル基が増加することが明らかになった。これらの二重結合の生成はTFEを添加することにより抑制された。橋かけ反応はアセチレン-TFE,アセチレン,トリフルオルメチルアセチレン,パーフルオルブチン-2,パーフルオルブチン-2-TFEおよびメチルアセチレン-TFEの存在によって促進されるが、他の高級誘導体やTFEとの混合系では逆に抑制されることを明らかにした。以上の結果に基づき、連鎖的橋かけ機構を提出し、素反応の活性化エネルギー論的立場から考察を行なった。
三井 光; 細井 文雄; 鍵谷 勤*
Polym.J., 4(1), p.79 - 86, 1973/01
被引用回数:34エチレンの線気相重合によって製したポリエチレンに、真空中、30-200Cで線を照射したときの橋かけ反応の機構について検討した。線照射したポリエチレンのゲル分率は、照射温度の上昇とともに増加し、150C以上でほぼ一定になる。ゲル化線量は、温度の上昇とともに低下し、150および200Cではほぼ等しい。ゲル化線量以上の照射によってゲル分率は増加するが、その増加の割合は線量とともに減少する。水素の生成量は、照射温度とともに幾らか増加する傾向が認められる。トランスビニレン基の含量は、線量の増加とともにほぼ直線的に増加し、その増加の割合は照射温度に無関係にほぼ一定である。150および200Cでは、メチル基の含量が線量とともにほぼ直線的に増加し、その増加の割合は200Cの方が150Cの場合より幾らか大きい。以上の結果に基づいて、ポリエチレンの線橋かけ反応の機構を考察する。
団野 晧文
At.Energy Rev., 9(2), p.399 - 422, 1972/00
抄録なし
三井 光; 細井 文雄; カギヤ ツトム*
Polymer Jornal, 3(1), p.108 - 110, 1971/00
被引用回数:19抄録なし