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論文

Tuning of dissociative-adsorption processes on Cu{1 0 0} by controlling the kinetic energy of the impinging O$$_{2}$$ molecule

岡田 美智雄*; 盛谷 浩右; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 中西 寛*; Di$~n$o, W. A.*; 笠井 秀明*; 笠井 俊夫*

Chemical Physics, 301(2-3), p.315 - 320, 2004/06

 被引用回数:14 パーセンタイル:43.06(Chemistry, Physical)

Cu(100)表面では酸素分子は解離吸着して0.5MLで飽和吸着に至る。2.3eVの並進運動エネルギーの酸素分子ビームを照射することにより、0.5ML以上に酸化が進行することが明らかになった。このときの吸着反応は被覆率に対して1次過程である。これは衝突誘起吸着が起こり、1個の酸素原子が分子から分かれて表面に吸着することを示している。一方、0.6eVの並進運動エネルギーでは2次過程であった。これは分子状解離吸着を意味している。

論文

Desorption of fragment ions from mono-and multilayered CCl$$_{4}$$ on Cu(100) by inner-shell photoexcitation

馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉

Surface Science, 402-404, p.115 - 119, 1998/00

 被引用回数:4 パーセンタイル:27.9(Chemistry, Physical)

Cu(100)表面に単層及び多層吸着したCCl$$_{4}$$分子に、Cl1s領域の放射光軟X線を照射した時の脱離フラグメントイオンを測定した。単層吸着では、脱離イオン種はCl$$^{+}$$のみであり、これはCl1s$$rightarrow$$$$alpha$$$$^{ast}$$共鳴励起後のスペクテータオージェ遷移に伴う速いC-Cl結合解裂に起因する。一方、多層吸着の場合は、分子イオン(CCl$$_{3+}$$)の脱離も起こり、その脱離強度はX線の吸収量に比例する。このことから、脱離速度が遅い重い分子種の脱離は、オージェ遷移後の二次電子の効果により起こることを明らかにした。

論文

Ion desorption from mono-and multi-layered CCl$$_{4}$$ on Cu(100) following Cl K-edge photoexcitation

馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉

Photon Factory Activity Report, (14), P. 424, 1996/00

銅単結晶表面に四塩化炭素を種々の厚みで吸着させ、塩素1s電子を放射光軟X線で光励起した時の脱離イオンを測定した。単層吸着では、脱離イオン種はCl$$^{+}$$のみであり、これはCl 1s$$rightarrow$$$$sigma$$$$^{ast}$$共鳴励起後のスペクテータオージェ遷移に伴う速いC-Cl結合解離に寄因する。一方、多層吸着の場合は、CCl$$_{3+}$$など重い分子イオン種の脱離も起こり、これはオージェ遷移後の二次電子の効果によることを明らかにした。

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