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佐々木 健; 小幡 行雄
Progress of Theoretical Physics Supplement, (69), p.406 - 419, 1980/00
電流横成分の応答関数を用いて、電子系による中性子散乱断面積の一般表式を導いた。応答関数に及ぼす揺動場の横成分の効果が、重要であることが判明した。揺動場の横成分を応答関数にとり入れる計算を、PinesとNozieresの横成分有効場の方法を用いて行なった。この効果は、最終的には、散乱断面積に対する動的遮蔽率の形にまとめられ、この効果を無視したときに発散していた微分断面積を、qの小さな領域(q≦100A)で、著しく減少させる。