Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
O
Mo, S.-K.*; Denlinger, J. D.*; Kim, H.-D.*; Park, J.-H.*; Allen, J. W.*; 関山 明*; 山崎 篤志*; 角野 宏治*; 菅 滋正*; 斎藤 祐児; et al.
Physical Review Letters, 90(18), p.186403_1 - 186403_4, 2003/05
被引用回数：144 パーセンタイル：95.21(Physics, Multidisciplinary)複雑な相図を示すVOについて、その金属相での光電子スペクトルにおいて顕著な準粒子ピークをはじめて観測した。また、この明瞭なピークが温度効果とともに成長することを示すために、局所密度近似と量子モンテカルロシミュレーションを用いた動的平均場理論を組み合わせた新しいスペクトル計算結果を報告する。実験で得られたピーク幅,ウェイトはともに理論より相当大きい。
西田 雄彦
Japanese Journal of Applied Physics, 19(5), p.799 - 806, 1980/00
被引用回数：3 パーセンタイル：20.45(Physics, Applied)多重スライス理論による電子顕微鏡像の計算に基いて(110)面上のシリコン結晶の高分解能構造像解析を行った。パラメータとして、結晶の厚さ,焦点外れ,対物レンズの絞りの大きさ,色収差や結晶方位の微小な傾き角を考慮し、像形成のための条件を検討した。その結果、最適像を得るには結晶の最適な厚さが存在し、又そこでは、最適な焦点外れ領域が周期的に現われることが分った。更に色収差や結晶の傾きの影響に対する許容範囲を検討した。
西田 雄彦; 出井 数彦; 古野 茂実
Radiat.Eff., 34, p.217 - 222, 1977/00
ゲルマニウム結晶を電子ビームで照射する時、内部に構成される電流密度の三次元的な分布が、電子回折多波理論により詳細に計算された。 ここでは代表的な結晶軸方向に電子が入射した場合を扱い、それに垂直な面上では分布のパターン自体が入射方向にある周期で振動することが分った。 結晶中での電流密度の局在が欠陥生成に及ぼす影響を議論するために「effective current ratio」Jeffなる量を導入する。ここでJeffは、原子列近傍の電流密度と平均電流密度の比として定義され、代表的な結晶方位では
110
、111、100の順に増加していることが見出された。 又その入射エネルギー依存性について100方向について検討した。
鎌田 耕治
日本金属学会誌, 14(7), p.521 - 530, 1975/07
完全性の高い金属単結晶製作の歴史と、結晶成長の際に転位が如何に導入されるかを概観し、特にCzochralski法で無転位単結晶を得るために機械的,熱的条件をどの様に制御するかを議論した。実際に得られる銅,銀ニオブ等の無転位単結晶についての実験結果を述べ、X線トポグラフによる完全性の評価について記述した。特にニオブ単結晶について、得られる転位の像が動力学的なものであるにかかわらず、無転位であることを強調した。この様な無転位単結晶の成長が、最近話題になっている液体金属の転位論を検証する有力な実験手段になり得ることを指摘した。
西田 雄彦; 出井 数彦
JAERI-M 5441, 66 Pages, 1973/11
電子回折動力学理論による多波近似で、格子欠陥をもつ結晶の電顕像の計算をすると共に、効率よく計算結果のデータ処理を行うプログラム・システムを開発した。マトリックス法で固有値問題を数値的に解くことによって、完全結晶や格子欠陥(球対称歪みや積層欠陥など)をもつ結晶内部での各電子波の強度分布(波の進行方向に沿った分布と結晶下面での分布をプロッター表示する)や明暗像のシミュレーションをすることが出来る。又、ビームの入射条件を変えた時の分散面や吸収係数、励起振巾の変化もオプションとして求められる。プログラム・システムの構造はモジュール化され、将来にわたって種々の改良や発展を必要に応じて速かに組込めるように考慮されている。
