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山本 昌彦; Do, V.-K.; 田口 茂郎; 久野 剛彦; 高村 禅*
Spectrochimica Acta, Part B, 155, p.134 - 140, 2019/05
被引用回数:8 パーセンタイル:43.54(Spectroscopy)本研究では、発光分光分析装置の小型化に有効な液体電極プラズマに着目し、これに基づく発光分光分析法(LEP-OES)によりテクネチウム(Tc)の発光スペクトルについて調査した。その結果、200-500nmの波長範囲において合計52本のピークを確認し、全てTcの中性原子線とイオン線に帰属された。最も発光強度の高いピークは、254.3nm, 261.0nm, 264.7nmで確認された。模擬試料を用いて、高放射性廃液中に共存する成分による分光干渉の影響を評価した結果、264.7nmのピークでは干渉なく測定できることがわかった。そこで、264.7nmのピークを用いて分析性能を評価した結果、検出限界値は1.9mg/L、Tc標準試料(12.0mg/L)の繰り返し測定時の相対標準偏差は3.8%(N=5, 1
)であった。
佐々木 貞吉; 馬場 祐治; 吉井 賢資; 山本 博之
Journal of Physics; Condensed Matter, 7, p.4385 - 4394, 1995/00
被引用回数:4 パーセンタイル:30.97(Physics, Condensed Matter)MoS
のS 1s
3p
、SiCl
のCl 1s
3p
の共鳴吸収において、LVV(2p
3p
3p
)オージェピークが強度変動するとともに、新しいサテライトピークが出現することを見出した。スペクトルのh
依存性を調べた結果、K殻(1s)やL殻(2s、2p)などに2個の正孔が存在する状態を始状態とするオージェカスケードのシグナルであることがわかった。サテライトピークの強度計算を試みたところ、実測値は計算値の1/3であった。未知の内殻緩和機構の存在することが示唆された。
orbital in Mo and Li
MoO
佐々木 貞吉; 馬場 祐治; 吉井 賢資; 山本 博之
Journal of Physics; Condensed Matter, 7, p.463 - 468, 1995/00
被引用回数:16 パーセンタイル:67.26(Physics, Condensed Matter)Mo2p
吸収端近傍のエネルギーの放射光励起により、Mo(L
M
M
)領域の共鳴オージェ電子スペクトルを調べた。L
M
M
オージェピークについてピークシフトが観測され、Mo、Li
MoO
についてそれぞれ~4eV、~12eVのh
依存性を認めた。Li
MoO
ではMo2p
4d(5s)の共鳴励起において、L
M
M
線はスペクテータオージェ線、ノーマルオージェ線の2本に分裂するとともに、前者がさらに2本に分裂してh
とともに高エネルギーシフトを起こす現象を見出した。ピーク分裂、エネルギー分散の両現象ともバンド構造に起因すると結論した。
orbital in Li
MoO
,MoO
and MoS
佐々木 貞吉; 馬場 祐治; 吉井 賢資; 山本 博之; 中谷 健*
Physical Review B, 50(21), p.15519 - 15526, 1994/12
被引用回数:19 パーセンタイル:73.75(Materials Science, Multidisciplinary)Mo2p
4dの共鳴励起で生成する励起状態4d
のオージェ崩壊過程を放射光光電子分光法により検討した。共鳴励起光によるオージェ電子スペクトルでは、スペクテータオージェ、ノーマルオージェに起因するMo(L
M
M
)線の分裂が認められた。これらのうち、スペクテータオージェ線は励起光のh
とともに4.5-12eVのエネルギーシフトを起こした。この現象は非軌道がバンドライク構造であるとするモデルで理解された。パーティシペータオージェ崩壊のチャンネルについても検討し、Mo3d
線及びMo3d
線の強度が共鳴h
領域で激しく増減するとともに、両者の強度比も大きく変動することを見出した。
的場 徹; 熊谷 勝昭; 船橋 昭昌; 河上 知秀
JAERI-M 7196, 20 Pages, 1977/07
高温プラズマ中の金属不純物からの電子衝突によるK-X線放射断面積のエネルキー依存性を、原子番号が6から82の範囲で3種の方法により計算した。電子のエネルギーが500KeVまでは相対論的理論(A&M理論)による断面積の計算値が実験値と良い一致を示した。これらの結果からK-X線放出率の電子温度依存性を求めた。金属不純物毒が半導体検出器による軟X線スペクトルの絶対測定値からK-X線放出率を使用して導出できることを示した。
SO
佐々木 貞吉
Phys.Status Solidi A, 34(1), p.339 - 346, 1976/01
被引用回数:11被照射K
SO
のTSEEを-165~550
Cで調べ、5種類のグローピーク(-45
C,5
C,152
C,210
C,265
C)を観測した。それぞれのグローピークについてエキソ電子放出機構を検討したところ、-45
Cおよび265
Cピークはエレクトロンタイプのラジカル種が関与するTSEEであり、また5
C、152
Cおよび210
Cピークはエレクトロンタイプのラジカル種がホールタイプのラジカル種と再結合するさいに起るTSEEであることがわかった。TSEE強度の線量依存性をみると、5
10
Radで最大になり5
10
Rad以上では零になる。ラジカル種の収率は10
Rad以上でも増加するので高線量領域におけるTSEE強度の減少は、放射線損傷により固体表面層の結晶構造が乱れたことに起因すると考えられる。