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論文

Brightening triplet excitons enable high-performance white-light emission in organic small molecules via integrating n-$$pi^*/pi$$-$$pi^*$$ transitions

Yang, Q.*; Yang, X.*; Wang, Y.*; Fei, Y.*; Li, F.*; Zheng, H.*; Li, K.*; Han, Y.*; 服部 高典; Zhu, P.*; et al.

Nature Communications (Internet), 15, p.7778_1 - 7778_9, 2024/09

 被引用回数:16 パーセンタイル:89.90(Multidisciplinary Sciences)

明るい一重項励起子と三重項励起子を同時に発現する発光材料は、オプトエレクトロニクス、サイネージ、情報暗号化において大きな可能性を秘めている。しかしながら、高性能の白色発光を実現するためには、蛍光と燐光の寄与が不均衡であることが大きな障害となっている。ここでは、水素結合の協同効果による圧力処理エンジニアリングによって、n-$$pi^*/pi$$-$$pi^*$$遷移の混合を実現し、イソフタル酸(IPA)中で三重項状態の発光を7%から40%に高めることで、この課題に対処した。加圧処理したIPAでは、蛍光と燐光のハイブリッドに基づく優れた白色発光が得られ、フォトルミネッセンス量子収率は当初の19%(青色発光)から75%に増加した。その場での高圧IRスペクトル、X線回折、中性子回折から、圧力の上昇に伴い水素結合が連続的に強化されることが明らかになった。さらに、この強化された水素結合は、圧力処理後も常圧条件下まで保持され、バランスの取れた一重項/三重項励起子集団のための効率的な系間交差を目的としたIPAに与え、効率的な白色発光をもたらした。この研究は、有機低分子の三重項状態を明るくするルートを提案するだけでなく、一重項励起子と三重項励起子の比率を調節して、高性能の白色発光を構築するものである。

報告書

Program POD-P; A Computer code to calculate cross sections for neutron-induced preequilibrium nuclear reactions

国枝 賢; 市原 晃

JAERI-Data/Code 2005-005, 33 Pages, 2005/09

JAERI-Data-Code-2005-005.pdf:1.5MB

中性子誘起による前平衡核反応で放出される粒子の、エネルギー及び角度分布断面積を計算するためのコードPOD-Pを開発した。エネルギー微分断面積は古典的な一成分型の励起子模型により計算される。複合粒子放出に対しては半経験的な励起子模型も用いる。また二重微分断面積は励起子模型と角度分布経験式を併用して導出される。計算方法及び入力データの説明を行い、入出力例を示した。

報告書

光放射化断面積の評価,I

岸田 則生*

JAERI-M 92-122, 34 Pages, 1992/08

JAERI-M-92-122.pdf:1.59MB

電子加速器の保守作業計画立案等のために必要な光放射化断面積の核データ評価を行った。評価した断面積は、$$^{58}$$Ni($$gamma$$,n)$$^{57}$$Ni,$$^{65}$$Cu($$gamma$$,n)$$^{64}$$Cu反応等、標的核種が加速器の構造材に多く含まれ、しかも反応断面積が比較的大きいもの11種類である。閾エネルギーから140MeVにおいて、吸収断面積の評価を行い、次に理論計算コードであるMCPHTOを用いて($$gamma$$,n)反応及び($$gamma$$,p)反応の分岐比を計算し、放射化断面積を求めた。計算結果は巨大共鳴領域の実験データと比較され、評価結果が十分に妥当であることが示された。

論文

白金単結晶表面に吸着した希ガス(Ar,Kr)の電子衝撃脱離

馬場 祐治; G.Dujardin*; P.Feulner*; D.Menzel*

表面科学, 13(5), p.244 - 248, 1992/07

白金(111)単結晶表面に吸着したアルゴン及びクリプトンに関し、電子衝撃による正イオンの脱離挙動を10~120eVのエネルギー範囲で調べた。Ar$$^{2+}$$の脱離が起こるための照射エネルギー閾値は83eVであり、これはAr$$^{3+}$$の生成及びそれに伴うAr$$^{3+}$$ArからAr$$^{2+A}$$r$$^{+}$$又はAr$$^{2+ast}$$Ar$$^{+}$$への遷移による隣接イオンのクーロン反発力により説明できる。一方、Ar$$^{+}$$及びAr$$_{2+}$$の脱離は24.2,25.4,34及び50eVに閾値が認められた。最初の2つの閾値は、それぞれ、表面及びバルクのエキシトン(励起子)対の生成に対応する。脱離のエネルギー閾値及び脱離強度の吸着層依存性の解析により、エキシトン対生成による脱離の機構について議論した。

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