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角田 恒巳; 若山 直昭; 真田 和夫*; 福田 長*; 稲田 浩一*; 未松 達也*; 八橋 元治*
J.Lightwave Technol., LT-4(8), p.1139 - 1143, 1987/08
耐放射線性に優れた光ファイバを開発するため、従来技術により作製した各種の光ファイバの組成と組成比、製造方法及び製造条件などに対する放射線の影響を詳しく調べ、その結果から、新しい方法によって作製した2種の耐放射線性光ファイバについて述べる。新しいタイプの光ファイバは、良好な耐放射線性を示し、100MRを超える高放射線量まで実用可能な特性を有し、光ファイバの原子力環境下での利用範囲を拡大できる。
角田 恒巳; 荒 克之; 若山 直昭; 真田 和夫*; 福田 長*; 稲田 浩一*; 未松 達也*; 八橋 元治*
EIM-87-1, p.1 - 9, 1987/00
信号伝送の帯域や損失など特性の優れているGI型光ファイバの耐放射線性を改善するため、それぞれドーパントの異なるファイバを試作し、検討を行なった。 試作したファイバは、1):BO
-FをドーパントとしMCVD法による作製のもの、2):Fをドーパントとしプラズマ法による作製のもの、3):GeO
ドーパントのVAD法による作製のものの3種である。 Co-60による照射試験の結果、B
O
-Fドープファイバが最も良好な耐放射線性を示した。1MRにおける損失増加は約35dB/km(0.85
m)であり、従来のGI型ファイバを数桁上廻っており、現在最も耐放射線の良いと言われる純粋石英コアのSI型ファイバのレベルに近づけることが出来た。
角田 恒巳; 若山 直昭; 真田 和夫*; 福田 長*; 稲田 浩一*; 末松 達也*; 八橋 元治*
EIM-85-131, p.1 - 27, 1985/00
伝送特性に優れているGI型ファイバの耐放射線性を改善するため、光ファイバのコア部にボロン、フッ素を添加した新しいタイプの光ファイバを試作し、耐放射線性に関する検討を行った。この方法によれば、ガラスの不完全性を助長させるドーパント量を極力少なくし、GI型ファイバを設計出来る。 放射線照射試験の結果、(1)線量率効果、フォトブリーチ効果、照射後の回復特性を有しており、この特性を有効に利用すれば、使用可能な線量を伸ばせること、(2)着色中心の形成は、紫外域が中心であり、そのテイルの影響を考慮し1.3mの波長を使用するのが有利であること、(3)65MRの照射に対し、信号の損失増加は~250dB/kmであり、照射30時間後は~100dB/kmまで回復した。これらの事から、従来のGI型ファイバに較べ、大幅に耐放射線性を改善した事が判った。