Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
-H
O-HI gaseous mixture using the silica membrance prepared by chemical vapor depositionHwang, G.*; 小貫 薫; 清水 三郎; 大矢 晴彦*
J. Membr. Sci., 162(1-2), p.83 - 90, 1999/00
被引用回数:69 パーセンタイル:90.38(Engineering, Chemical)熱化学ISプロセスにおけるHI分解への適用のため、セラミックスを基膜とする水素分離膜を作製した。膜は、100nm(M1)と10nm(M2)の細孔径を有するアルミナ多孔質チューブを基膜として用い、TEOSを反応原料とする化学蒸着法により作製した。He,N
,H
の純ガス透過実験は、300~600
Cの範囲で行った。HeとN
ガスは、細孔が析出するシリカによって閉塞されたため、活性化拡散機構により流れた。作製した膜の600
Cにおける水素ガス透過速度は、約6
10
mol/Pa・m
・sであった。H
/N
の選択性はM1とM2膜でそれぞれ5.2と160を示した。H
-H
O-HI混合ガス分離実験を300~600
C範囲で行った。水素の透過速度は水素単独に用いた場合とほぼ同等であり、HI透過速度は1
10
mol/Pa・m
・s以下であった。450
CにおけるH
-H
O-HI(モル比0.23:0.65:0.12)混合ガスでの膜の水素透過速度は、一日後でも変化しなかった。
-アルミナチューブを基膜とした製膜方法Hwang, G.*; 小貫 薫; 清水 三郎
JAERI-Research 98-002, 8 Pages, 1998/01
ISプロセスの水素発生工程におけるヨウ化水素分解の高効率化のため、水素分離膜の製作技術の研究を行った。細孔径100nmと10nmの
ーアルミナチューブを基膜として用い、TEOSを原料とする化学蒸着法(CVD)によりシリカを析出させる方法で水素分離膜を製膜した。製作した水素分離膜では、シリカにより細孔が緻密に閉塞され、ガスは活性化拡散機構により透過した。600
Cにおける窒素に対する水素の選択性は、細孔径が100nmの基膜の場合5.2,細孔径が10nmの基膜の場合160を示した。